型号：TSM6025BEUR+
　　通道类型：N沟道
　　漏源电压（VDS）：60V
　　连续漏极电流（ID）：25A（@TC=25°C）
　　脉冲漏极电流（IDM）：100A
　　导通电阻（RDS(on)）：25mΩ（@VGS=10V）；30mΩ（@VGS=4.5V）
　　栅源阈值电压（VGS(th)）：2.0V ~ 3.0V
　　栅极电荷（Qg）：45nC（@VGS=10V）
　　输入电容（Ciss）：2200pF（@VDS=30V）
　　反向恢复时间（trr）：35ns
　　最大功耗（PD）：50W
　　工作结温范围（TJ）：-55°C ~ +150°C
　　封装类型：SOP-8（Power SOP）

TSM6025BEUR+ 采用东芝先进的U-MOS VIII-H沟槽工艺制造，具备极低的导通电阻（RDS(on)），这使得在大电流条件下仍能保持较低的导通损耗，显著提高电源系统的转换效率。例如，在VGS=10V时，其典型RDS(on)仅为25mΩ，这意味着在20A负载电流下，导通压降仅为0.5V，功率损耗为10W，远低于传统MOSFET器件。该特性特别适用于高密度电源设计，如笔记本电脑主板上的同步整流电路或移动电源中的升压/降压拓扑。
　　该器件具有出色的热稳定性，其封装采用高导热性的引线框架材料和优化的芯片布局，确保热量能够快速从芯片传递到PCB，有效降低热阻（θJA）。在标准FR-4 PCB布局下，热阻约为2.5°C/W，允许器件在较高环境温度下持续工作而不发生过热保护或性能下降。此外，SOP-8 Power封装支持回流焊工艺，兼容自动化贴片生产线，提高了生产效率和焊接可靠性。
　　TSM6025BEUR+ 还具备良好的开关特性，其栅极电荷（Qg）为45nC，较低的栅极电荷意味着驱动电路所需提供的能量更少，有助于降低驱动IC的负担并减少开关过程中的动态损耗。同时，其米勒电容（Crss）较小，有效抑制了开关过程中的振荡和串扰，提升了高频开关应用中的稳定性。该器件还具有较强的雪崩耐受能力，在突发过压或感性负载关断时能够吸收一定的能量，避免因电压尖峰导致的永久性损坏，增强了系统的安全性和可靠性。
　　在可靠性方面，TSM6025BEUR+ 经过严格的寿命测试和高温反偏（HTRB）、高温栅极偏置（HTGB）等认证测试，确保在工业级温度范围内长期稳定运行。其栅氧层设计具备高击穿强度，能够承受高达±2kV的人体模型（HBM）静电放电，降低了在生产和使用过程中因静电损伤导致失效的风险。这些综合特性使TSM6025BEUR+ 成为高性能电源管理应用中的理想选择。

TSM6025BEUR+ 广泛应用于各类需要高效、紧凑型功率开关的电子系统中。在便携式设备领域，如智能手机、平板电脑和移动电源，它常被用作电池充放电路径的开关控制元件，利用其低导通电阻和小封装优势，最大限度地减少能量损耗并节省PCB空间。在DC-DC转换器中，尤其是同步降压（Buck）变换器中，该MOSFET可作为主开关管或同步整流管使用，配合控制器实现高效的电压调节，满足处理器、内存等核心部件的供电需求。
　　在工业自动化和嵌入式系统中，TSM6025BEUR+ 可用于电机驱动电路中的H桥拓扑，控制直流电机或步进电机的正反转与启停。其快速的开关响应能力和高电流承载能力确保了电机控制的精确性和动态响应速度。此外，在LED驱动电源中，该器件可用于恒流控制回路的开关部分，实现对LED亮度的精准调节，同时保持高能效。
　　该器件也适用于各类负载开关应用，例如热插拔电路、多电源切换系统或外设供电控制。在这些场景中，TSM6025BEUR+ 能够实现软启动功能，限制浪涌电流，防止系统电压跌落，从而提升系统稳定性。其集成的体二极管也具备较快的反向恢复特性，减少了在非同步整流模式下的损耗。在通信设备如路由器、交换机中，TSM6025BEUR+ 用于板级电源分配网络，为不同功能模块提供独立的供电通断控制，支持节能待机模式和故障隔离功能。

TPS6025BDFR, CSD16406Q5, SISS10DN, IPB041N06N