时间：2025/9/13 14:39:52
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TSM500P02CX RFG 是一款由东芝（Toshiba）公司推出的功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）器件，适用于高功率和高频应用。该器件采用先进的沟槽栅极技术，提供低导通电阻（Rds(on)）和高效的开关性能。TSM500P02CX RFG封装在高散热效率的封装中，适用于各种电源管理和功率转换应用。
类型：功率MOSFET
最大漏极电流（ID）：180A
最大漏极-源极电压（VDS）：200V
最大栅极-源极电压（VGS）：±20V
导通电阻（Rds(on)）：1.75mΩ（最大）
功率耗散（PD）：300W
工作温度范围：-55°C至150°C
封装类型：TO-247
TSM500P02CX RFG功率MOSFET具备多项高性能特性，首先是极低的导通电阻（Rds(on)），这使得该器件在高电流应用中具有更低的导通损耗，从而提高了整体效率。此外，该器件采用先进的沟槽栅极技术，优化了开关性能，减少了开关损耗。这使其适用于高频开关应用，例如DC-DC转换器、电机驱动器和电源模块。
其次，该器件的高耐压能力（200V VDS）确保其在高压应用中具有稳定的性能。栅极驱动电压范围宽，支持±20V的最大栅极电压，使得设计者可以更灵活地选择驱动电路。同时，该MOSFET具备良好的热稳定性，封装设计优化了散热性能，能够在高功率密度环境下保持稳定运行。
此外，TSM500P02CX RFG的高可靠性设计确保其在恶劣环境下仍能正常工作，包括高温和高湿度环境。这使得它适用于工业级和汽车级电子系统。
TSM500P02CX RFG功率MOSFET广泛应用于多个高功率电子系统中，特别是在电源管理领域，例如服务器电源、电信电源、DC-DC转换器和UPS（不间断电源）。此外，它也适用于电机控制和驱动器系统，如电动汽车（EV）充电设备、工业自动化设备和机器人系统。
由于其高频开关能力和低导通电阻，该器件也常用于音频放大器和高频逆变器等应用。在新能源领域，TSM500P02CX RFG可以用于太阳能逆变器和储能系统，以提高能量转换效率。
汽车电子方面，该MOSFET适用于车载充电器、电池管理系统（BMS）以及电动助力转向系统（EPS）等关键模块。
SiPMOSFET_200V_180A, IXFN180N20X
