时间：2025/8/1 21:29:25
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TSM4NB60CI C0 是一款由东芝（Toshiba）生产的IGBT（绝缘栅双极型晶体管）功率器件，专为高效率和高可靠性应用设计。该器件具有低导通压降和低开关损耗的特点，适用于工业电机驱动、逆变器、电源转换系统等高功率应用。
集电极-发射极电压（Vce）：600V
集电极电流（Ic）：4A
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
短路耐受能力：有
封装类型：TO-220AB
栅极驱动电压：15V
TSM4NB60CI C0 的主要特性之一是其优化的芯片设计，使得导通压降和开关损耗显著降低，从而提高了整体能效。这种IGBT采用了先进的沟槽栅极技术和场截止（Field Stop）技术，有效减少了导通损耗和开关损耗，适用于高频率开关应用。
此外，该器件具有较高的短路耐受能力，能够在异常工作条件下提供更好的保护。TSM4NB60CI C0 的TO-220AB封装形式不仅提供了良好的散热性能，还便于安装和维护，适合于紧凑型功率模块设计。
该IGBT的工作温度范围较宽，能够在-55°C至+150°C之间稳定工作，适用于各种严苛环境条件下的应用。同时，其15V的栅极驱动电压使得控制电路设计更加简单可靠，降低了系统复杂度和成本。
在可靠性方面，TSM4NB60CI C0 通过了严格的工业标准测试，确保其在长时间运行中的稳定性和耐用性，适用于高要求的电力电子系统。
TSM4NB60CI C0 常用于工业电机驱动、逆变器、电源转换系统、太阳能逆变器、不间断电源（UPS）、电焊机以及电动汽车充电设备等高功率应用场景。由于其高效的能量转换能力和良好的热稳定性，该器件在这些应用中表现出色，能够有效提升系统的整体性能和可靠性。
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