TSM4NB60是一款由东芝(Toshiba)生产的功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),适用于高功率应用。该器件采用了先进的沟槽栅极技术,提供较低的导通电阻和快速的开关性能,广泛用于电源转换、电机控制、电池管理系统和工业自动化等领域。
类型:N沟道MOSFET
漏源电压(Vds):600V
漏极电流(Id):4A
导通电阻(Rds(on)):1.2Ω
栅极电压(Vgs):±20V
功率耗散(Pd):40W
封装类型:TO-220
TSM4NB60功率MOSFET具有多项优异特性,使其在高功率和高频率应用中表现出色。首先,其低导通电阻(Rds(on))为1.2Ω,有助于降低导通损耗,提高系统效率。其次,该器件的漏源电压(Vds)为600V,适用于高电压应用,如电源转换器和电机驱动器。
此外,TSM4NB60采用了先进的沟槽栅极技术,提供更快的开关速度,从而减少开关损耗,提高整体系统性能。其最大漏极电流(Id)为4A,能够在较高负载条件下稳定运行。该器件的栅极电压范围为±20V,具有较强的抗过压能力,同时确保栅极控制的稳定性。
在散热方面,TSM4NB60采用TO-220封装,具有良好的热管理性能,能够在较高温度环境下正常运行。该封装形式也便于安装在散热片上,进一步提升散热效率。由于其优异的电气特性和热稳定性,TSM4NB60非常适合用于工业电源、开关电源(SMPS)、电机控制和电池管理系统等应用场景。
TSM4NB60广泛应用于多个领域,主要包括开关电源(SMPS)、直流-直流转换器、电机驱动器、电池管理系统(BMS)、工业自动化设备以及照明控制系统。在开关电源中,该器件能够高效地进行功率转换,提高电源的整体效率。在电机控制中,TSM4NB60的快速开关特性有助于实现精确的电机调速和高效能运行。此外,它还可用于高电压电池管理系统,确保电池组的安全和高效运行。
TK10A60D, 2SK2545, 2SK2141