TSM4NB60 时间：2025/7/18 17:43:44 阅读：11

TSM4NB60是一款由东芝（Toshiba）生产的功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），适用于高功率应用。该器件采用了先进的沟槽栅极技术，提供较低的导通电阻和快速的开关性能，广泛用于电源转换、电机控制、电池管理系统和工业自动化等领域。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（Vds）：600V
　　漏极电流（Id）：4A
　　导通电阻（Rds(on)）：1.2Ω
　　栅极电压（Vgs）：±20V
　　功率耗散（Pd）：40W
　　封装类型：TO-220

特性

TSM4NB60功率MOSFET具有多项优异特性，使其在高功率和高频率应用中表现出色。首先，其低导通电阻（Rds(on)）为1.2Ω，有助于降低导通损耗，提高系统效率。其次，该器件的漏源电压（Vds）为600V，适用于高电压应用，如电源转换器和电机驱动器。
　　此外，TSM4NB60采用了先进的沟槽栅极技术，提供更快的开关速度，从而减少开关损耗，提高整体系统性能。其最大漏极电流（Id）为4A，能够在较高负载条件下稳定运行。该器件的栅极电压范围为±20V，具有较强的抗过压能力，同时确保栅极控制的稳定性。
　　在散热方面，TSM4NB60采用TO-220封装，具有良好的热管理性能，能够在较高温度环境下正常运行。该封装形式也便于安装在散热片上，进一步提升散热效率。由于其优异的电气特性和热稳定性，TSM4NB60非常适合用于工业电源、开关电源（SMPS）、电机控制和电池管理系统等应用场景。

应用

TSM4NB60广泛应用于多个领域，主要包括开关电源（SMPS）、直流-直流转换器、电机驱动器、电池管理系统（BMS）、工业自动化设备以及照明控制系统。在开关电源中，该器件能够高效地进行功率转换，提高电源的整体效率。在电机控制中，TSM4NB60的快速开关特性有助于实现精确的电机调速和高效能运行。此外，它还可用于高电压电池管理系统，确保电池组的安全和高效运行。