时间：2025/9/11 10:31:15
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TSM4N60CI 是一款由东芝（Toshiba）制造的N沟道增强型功率MOSFET，广泛应用于各种功率开关电路中，例如DC-DC转换器、电源管理系统和马达控制电路。该器件采用先进的工艺技术，具备低导通电阻、高耐压、高电流承载能力等特点，适用于高效率、高可靠性的电源设计。
类型：N沟道增强型MOSFET
最大漏极电流（ID）：4A
漏源极击穿电压（VDS）：600V
栅源极电压（VGS）：±30V
导通电阻（RDS(on)）：最大2.5Ω（在VGS=10V时）
功率耗散（PD）：50W
工作温度范围：-55°C至150°C
封装形式：TO-220
TSM4N60CI 的设计采用了东芝先进的功率MOSFET制造工艺，使其具备优异的电气性能和热稳定性。其高击穿电压（600V）使其适用于高压电源转换应用，如开关电源（SMPS）和电机驱动系统。
该器件的低导通电阻（RDS(on)）降低了导通损耗，提高了整体系统的效率。此外，其较高的栅极电压容限（±30V）增强了器件在复杂工作环境下的稳定性。
由于其封装采用TO-220形式，具备良好的散热性能，适用于中高功率应用场景。同时，该MOSFET具备较强的抗过载能力，能够承受短时间的高电流冲击，从而提高系统的可靠性。
该器件的快速开关特性使其适用于高频开关电路，减少开关损耗并提高转换效率。因此，TSM4N60CI 是设计高效率、小体积电源系统的理想选择。
TSM4N60CI 通常用于以下类型的应用电路中：开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、LED驱动电源、电机控制电路、充电器和适配器等。其高压耐受能力和低导通电阻使其在工业控制和消费类电子产品中广泛应用。
TK4N60K1W, IRF840, FQP4N60C, STP4NK60Z
