型号：TSM3N90CP
　　类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（Vds）：900 V
　　栅源电压（Vgs）：±30 V
　　连续漏极电流（Id）：3 A（@25°C）
　　脉冲漏极电流（Idm）：12 A
　　功耗（Pd）：50 W
　　导通电阻（Rds(on)）：典型值 2.0 Ω，最大值 2.4 Ω（@Vgs=10V, Id=1.5A）
　　阈值电压（Vgs(th)）：典型值 3.0 V，范围 2.0~4.0 V
　　输入电容（Ciss）：典型值 600 pF（@Vds=25V, f=1MHz）
　　输出电容（Coss）：典型值 180 pF
　　反向恢复时间（trr）：典型值 170 ns
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　存储温度范围：-55°C ~ +150°C
　　封装：TO-220F

TSM3N90CP采用了东芝专有的高压沟槽栅极技术，在保持高击穿电压的同时实现了较低的导通电阻，这使得器件在高压应用中能够有效降低传导损耗，提升整体能效。其900V的高漏源电压使其特别适用于离线式开关电源设计，尤其是在需要直接连接市电整流后的高压母线场合，如LED驱动电源和适配器产品中。该MOSFET的栅极结构经过优化，具备良好的开关特性，开关速度快，开关损耗小，有助于实现高频化设计，减小外围磁性元件的体积，进而缩小整个电源系统的尺寸。
　　器件的热稳定性优异，能够在高温环境下持续稳定运行，结温最高可达150°C，配合TO-220F封装提供的良好散热路径，可确保长时间工作的可靠性。此外，TSM3N90CP具备较强的抗雪崩能力和浪涌电流承受能力，能够在瞬态过压或负载突变情况下保护自身不被损坏，提高了系统在异常工况下的安全性。其栅源电压容限达±30V，提供了更大的驱动兼容性和抗干扰能力，避免因驱动信号波动导致误触发或器件损伤。
　　由于采用TO-220F封装，该器件为绝缘封装，底部与漏极隔离，便于直接固定在接地散热器上而无需额外的绝缘垫片，简化了散热设计并降低了热阻。这一特性在大功率密度电源设计中尤为重要。同时，器件符合国际环保标准，不含铅和卤素，适应全球绿色电子产品的制造要求。总体而言，TSM3N90CP是一款性能均衡、可靠性高的高压MOSFET，适用于对安全性和效率有较高要求的应用场景。

TSM3N90CP主要应用于各类中高功率的开关电源系统中，尤其适合需要高压操作的离线式电源设计。典型应用包括LED照明驱动电源，特别是在高压恒流输出的路灯、隧道灯及工业照明系统中，该器件作为主开关管可以高效地完成能量转换任务。在AC-DC适配器和充电器中，如电视、显示器、笔记本电脑电源等，TSM3N90CP可用于反激式（Flyback）拓扑结构中的初级侧开关，利用其高耐压和低导通损耗的优势提升转换效率。此外，它也常见于工业电源模块、小型逆变器、电机控制电路以及待机电源（standby power supply）中，承担主控开关角色。
　　在光伏逆变器和新能源相关设备中，TSM3N90CP可用于辅助电源部分的电压转换，保障系统在高输入电压条件下的稳定运行。由于其具备良好的EMI特性和开关一致性，也可用于对电磁干扰敏感的医疗设备电源或通信设备电源模块中。另外，由于其封装为绝缘型TO-220F，特别适合需要电气隔离安装的场合，避免了额外绝缘措施带来的成本和空间增加。综合来看，TSM3N90CP凭借其高压能力、可靠性和成熟的技术平台，已成为许多工业和消费类电源设计中的优选器件之一。

TK3N90U, STW3N90K5, FQA3N90C