TSM1D225ASSR 时间：2025/12/28 6:33:21 阅读：18

TSM1D225ASSR是一款由Tai-Saw Technology（台硕科技）生产的表面贴装型多层陶瓷片式电容器（MLCC）。该器件属于高容量、高电压的陶瓷电容系列，广泛应用于需要稳定电容性能和高可靠性的电子电路中。TSM1D225ASSR的封装尺寸为1210（3225公制），额定电容值为2.2μF，额定电压为200V DC，电容容差通常为±10%（代号X5R或X7R温度特性）。该型号采用镍阻挡层端子电极结构，具备良好的可焊性和抗热冲击能力，适用于自动化贴片生产工艺。作为一款工业级或汽车级可能应用的MLCC，TSM1D225ASSR在电源去耦、滤波、储能和DC-DC转换器等场景中表现出色。其设计符合RoHS环保标准，不含铅，支持无铅回流焊接工艺。由于其较高的额定电压和适中的电容值，该器件特别适合用于中高压直流电路中的旁路和滤波应用，能够在较宽的温度范围内保持稳定的电气性能。

参数

尺寸：1210 (3.2 x 2.5 mm)
　　电容值：2.2 μF
　　容差：±10%
　　额定电压：200 VDC
　　温度特性：X7R（-55°C 至 +125°C，ΔC/C ≤ ±15%）
　　介质材料：Class II Ceramic (Barium Titanate based)
　　端接类型：Ni/Sn plated (Nickel Barrier Electrode)
　　工作温度范围：-55°C 至 +125°C
　　产品类别：Multilayer Ceramic Capacitors (MLCC)
　　安装类型：Surface Mount (SMD)

特性

TSM1D225ASSR具有优异的电性能稳定性与机械可靠性，其核心特性之一是采用了X7R型介电材料，这种材料属于二类陶瓷（Class II），以钛酸钡为基础，具有较高的介电常数，能够在较小的封装尺寸内实现较大的电容值。X7R材料确保了电容器在-55°C至+125°C的宽温度范围内，电容变化率不超过±15%，这对于工业控制、汽车电子和电源管理等对温度敏感的应用至关重要。此外，该电容器在直流偏压下的电容保持率相对较高，尽管随着施加电压接近额定值，电容值会有所下降，但其性能仍优于许多同类产品。这使得TSM1D225ASSR在实际使用中能够提供可靠的去耦和滤波功能。
　　该器件采用1210（3225公制）封装，属于中等尺寸表贴元件，既保证了足够的机械强度，又适合高密度PCB布局。其内部结构由多个陶瓷介质层与内电极交替堆叠而成，经过高温共烧形成一体化结构，具备良好的抗振动和抗热冲击能力。端电极为镍阻挡层结构，外层镀锡，不仅增强了可焊性，还能有效防止银离子迁移，提高长期使用的可靠性。此外，该结构有助于减少因热膨胀系数不匹配导致的焊点开裂问题，特别适用于经历多次温度循环的应用环境。
　　TSM1D225ASSR的200V额定电压使其适用于中高压直流电路，例如开关电源的输出滤波、DC-DC变换器的输入/输出去耦、逆变器电路中的旁路应用等。相比低压大容量电容，它在高压条件下仍能维持较好的电容表现，减少了系统中并联多个电容的需求，从而节省空间和成本。同时，该器件符合AEC-Q200等可靠性标准的可能性较高，可用于汽车电子系统。其无铅、无卤素的设计也满足现代电子产品对环保和安全的严格要求。

应用

TSM1D225ASSR广泛应用于多种电子系统中，尤其适用于需要中等容量和较高耐压的场合。在电源管理系统中，该电容器常用于DC-DC转换器的输入和输出端，作为滤波和储能元件，有效平滑电压波动，抑制高频噪声，提高电源稳定性。在工业自动化设备中，如PLC控制器、电机驱动器和传感器模块，TSM1D225ASSR用于电源去耦和噪声抑制，确保关键信号处理电路不受干扰。此外，在通信设备中，如基站电源模块、光模块供电电路，该器件可提供稳定的局部能量储备，增强系统的抗干扰能力和瞬态响应性能。
　　在消费类电子产品中，TSM1D225ASSR可用于高端电视、音响系统和电源适配器中，特别是在PFC（功率因数校正）电路或辅助电源部分，发挥其高电压和良好温度稳定性的优势。在汽车电子领域，该电容器可应用于车载信息娱乐系统、ADAS（高级驾驶辅助系统）电源模块以及LED车灯驱动电路中，满足汽车级工作温度和可靠性的要求。此外，医疗电子设备中对电源纯净度要求较高的模块也可采用此类电容进行滤波和稳压。由于其表面贴装设计，TSM1D225ASSR非常适合自动化生产线，支持回流焊接工艺，提高了生产效率和产品一致性。