TSM19N20CPROG 时间：2025/6/21 21:21:00 阅读：4

TSM19N20CPROG 是一款 N 沟道增强型 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件具有低导通电阻、高开关速度和良好的热稳定性，广泛应用于各种功率转换电路中。它适用于要求高效能、低损耗的场景，例如 DC-DC 转换器、负载开关、电机驱动和电源管理模块等。

参数

型号：TSM19N20CPROG
　　类型：N沟道增强型MOSFET
　　耐压(Vds)：200V
　　漏极电流(Id)：19A
　　导通电阻(Rds(on))：0.18Ω
　　栅极电压(Vgs(th))：3V 至 4V
　　功耗(PD)：260W
　　工作温度范围：-55℃ 至 +175℃
　　封装形式：TO-220

特性

TSM19N20CPROG 的主要特点是其具备较低的导通电阻 (Rds(on))，能够有效减少功率损耗，提高效率。同时，它支持高达 200V 的漏源极击穿电压 (Vds)，使其适合在高压环境下运行。
　　此外，该器件的工作温度范围宽广 (-55℃ 至 +175℃)，保证了在极端条件下的可靠性能。其快速开关能力使得它非常适合高频应用，并且由于采用 TO-220 封装，散热性能优异，易于集成到各种设计中。

应用

TSM19N20CPROG 广泛应用于以下领域：
　　1. 开关电源 (SMPS) 和 DC-DC 转换器
　　2. 电机控制和驱动电路
　　3. 电池保护和负载开关
　　4. 工业自动化设备中的功率管理
　　5. 高频逆变器和 LED 驱动器
　　6. 通信设备中的电源解决方案
　　由于其高压和大电流承受能力，这款 MOSFET 特别适合需要高效率和稳定性的功率转换场景。