时间：2025/6/3 18:39:46
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TSM101AIDT 是一款高性能的 N 治安道功率 MOSFET，专为高效率开关电源、DC-DC 转换器、电机驱动和负载开关等应用设计。该器件采用先进的半导体工艺制造，具有低导通电阻和快速开关特性，从而显著提高系统效率并降低功耗。
该芯片适用于要求高功率密度和高效能的电子设备，其封装形式支持表面贴装技术（SMD），有助于简化生产流程并提升可靠性。
最大漏源电压：60V
连续漏极电流：28A
导通电阻（典型值）：4.5mΩ
栅极电荷：37nC
开关速度：快速
工作温度范围：-55℃ 至 150℃
TSM101AIDT 的主要特性包括：
1. 极低的导通电阻，有效减少功率损耗。
2. 快速开关能力，支持高频操作场景。
3. 高度耐用性，能够在极端环境条件下稳定运行。
4. 符合 RoHS 标准，环保且适合全球市场。
5. 小型化封装设计，节省 PCB 空间。
6. 内置 ESD 保护机制，增强抗静电能力。
这些特点使 TSM101AIDT 成为多种工业和消费类电子产品中的理想选择。
TSM101AIDT 广泛应用于以下领域：
1. 开关模式电源（SMPS）
2. DC-DC 转换器
3. 电池管理系统（BMS）
4. 电动工具和小型电机驱动
5. 汽车电子中的负载开关
6. 工业控制与自动化设备
凭借其卓越的性能和可靠性，这款芯片在各类高功率应用中表现出色。
TSM101AIDH, TSM101AIDJ
