类型：N沟道MOSFET
　　漏极-源极电压(Vds)：30V
　　栅极-源极电压(Vgs)：±20V
　　连续漏极电流(Id)：10A
　　导通电阻(Rds(on))：3.3mΩ @ Vgs=10V
　　功率耗散(Pd)：2W
　　工作温度范围：-55°C 至 150°C
　　封装类型：SOP（表面贴装）

TSM033NA03CR 的核心特性之一是其极低的导通电阻（Rds(on)），仅为 3.3mΩ，在 Vgs=10V 时可显著降低导通损耗，提高整体系统的能效。此外，该器件具备较高的电流承载能力，额定连续漏极电流为 10A，适用于中高功率应用。
　　该 MOSFET 使用先进的沟槽技术，优化了电场分布，提高了器件的稳定性和可靠性，同时具备良好的热性能，能够在较高温度环境下稳定工作。TSM033NA03CR 的开关速度较快，适合高频开关应用，从而减小外部电感和电容的尺寸，提升整体电路的功率密度。
　　其栅极驱动电压范围较宽，支持 ±20V 的最大栅极电压，兼容多种驱动电路设计，方便集成到不同的电源管理系统中。同时，该器件的封装设计支持表面贴装工艺，简化了 PCB 布局并提升了生产效率。

TSM033NA03CR 主要应用于各类电源管理系统，包括 DC-DC 升压和降压转换器、同步整流器、负载开关和电池管理系统。由于其高效的能量转换能力和紧凑的封装形式，该器件在笔记本电脑、平板电脑、智能手机等便携式电子设备中得到了广泛应用。
　　在电机控制和驱动电路中，TSM033NA03CR 可作为高效功率开关使用，提供稳定的电流控制能力。此外，在 LED 驱动器和工业自动化设备中，该 MOSFET 也可用于实现高效率的功率调节和控制。
　　由于其良好的热稳定性和高可靠性，TSM033NA03CR 还适用于汽车电子系统，如车载充电器、电动助力转向系统和车载信息娱乐系统等。

SiSSNA03, TSM040NA03CR, AO4403