型号：TSF3N80M
　　制造商：Taiwan Semiconductor
　　晶体管类型：N沟道，增强型MOSFET
　　最大漏源电压（V_DS）：800V
　　最大漏源电流（I_D @ 25°C）：3A
　　连续漏极电流（I_D）：3A
　　脉冲漏极电流（I_DM）：12A
　　最大栅源电压（V_GS）：±30V
　　阈值电压（V_GS(th)）：典型值3V，范围2.0V ~ 4.0V
　　导通电阻（R_DS(on)）：典型值2.2Ω @ V_GS=10V；最大值2.8Ω @ V_GS=10V
　　输入电容（C_iss）：典型值300pF @ V_DS=25V
　　输出电容（C_oss）：典型值80pF @ V_DS=25V
　　反向恢复时间（t_rr）：典型值75ns
　　功耗（P_D）：50W（Tc=25°C）
　　工作结温范围（T_J）：-55°C ~ +150°C
　　存储温度范围（T_stg）：-55°C ~ +150°C
　　封装类型：TO-220F

TSF3N80M具备多项关键电气与物理特性，使其成为高压功率转换应用中的优选器件之一。首先，其高达800V的漏源击穿电压使其能够直接用于全球通用交流输入范围内的离线式电源设计，无需额外的降压前置电路，简化了系统结构。该器件在V_GS=10V时的导通电阻仅为2.2Ω左右，这在同类800V耐压等级的MOSFET中属于较低水平，意味着在导通状态下产生的功率损耗较小，有利于提高系统效率并降低温升。
　　其次，TSF3N80M采用了优化的晶圆工艺和封装设计，确保了良好的热传导性能。TO-220F封装不仅具备较强的机械强度，还能通过散热片有效将芯片热量传递至外部环境，延长器件寿命并提升长期运行的可靠性。其最大连续漏极电流为3A，脉冲电流可达12A，适用于短时高峰值负载的应用场合，如电机启动或瞬态响应调节。
　　再者，该MOSFET具有较稳定的阈值电压特性，典型值为3V，允许使用常见的逻辑电平驱动信号进行控制，兼容多种PWM控制器输出。输入电容和输出电容数值适中，配合合理的栅极驱动设计可实现快速开关动作，降低开关过程中的交叠损耗。同时，其反向恢复时间较短（典型75ns），有助于减少体二极管在续流过程中引起的反向恢复电荷问题，进而抑制电磁干扰（EMI）并提升系统稳定性。
　　此外，TSF3N80M经过严格的质量测试，符合RoHS环保标准，并具备一定的抗雪崩能量能力，能够在异常工况下提供一定程度的自我保护。这些综合特性使得该器件在成本、性能与可靠性之间取得了良好平衡，适合大批量工业和消费类电源产品的使用需求。

TSF3N80M广泛应用于多种中高功率开关电源系统中。典型应用场景包括AC-DC适配器、充电器、LED驱动电源、小型逆变器以及工业用DC-DC转换模块。在这些系统中，TSF3N80M常被用作主开关管，负责将整流后的高压直流电切换成高频交流信号，以供后续变压器变换电压等级。
　　在离线式反激变换器（Flyback Converter）中，TSF3N80M凭借其800V的高耐压能力，可以直接连接经桥式整流和滤波后的母线电压（约300–400VDC），无需额外的钳位或分压电路，简化了拓扑结构。其较低的R_DS(on)减少了导通期间的I2R损耗，提高了整体转换效率，尤其在轻载和满载条件下均表现出色。
　　此外，该器件也适用于电机控制电路中的低端开关或H桥结构中的上桥臂驱动，特别是在小功率风机、水泵或家用电器中作为功率调控元件。由于其具备较快的开关速度和较低的寄生电容，可在高频PWM调制下实现精确的转速或扭矩控制。
　　在LED照明电源领域，TSF3N80M可用于恒流驱动方案，通过闭环反馈调节占空比来维持输出电流稳定。其良好的热稳定性和长期可靠性保障了灯具在密闭空间内的持续运行。
　　其他应用还包括UPS不间断电源、电池管理系统（BMS）中的充放电控制、太阳能微逆变器前端开关以及各类工业自动化设备的电源模块。得益于其标准化的TO-220F封装，TSF3N80M易于替换和维修，降低了终端厂商的设计与维护成本。

TK3N80U, KF3N80, FQPF3N80, STP3NK80ZFP, 2SK3569, 2SC4466