TSF10N80M 时间：2025/6/4 0:31:59 阅读：8

TSF10N80M是一款N沟道增强型场效应晶体管（MOSFET），适用于高电压开关应用。该器件具有低导通电阻、高击穿电压和快速开关速度等特性，广泛应用于电源管理、电机驱动和逆变器等领域。
　　该型号属于高压MOSFET系列，适合需要高效能和可靠性的设计场景。

参数

最大漏源电压：800V
　　连续漏极电流：10A
　　导通电阻（典型值）：2.5Ω
　　栅极电荷（典型值）：35nC
　　输入电容（典型值）：1500pF
　　总功耗：160W
　　工作温度范围：-55℃至+175℃

特性

TSF10N80M具有以下关键特性：
　　1. 高耐压能力，能够承受高达800V的漏源电压，适用于高压环境。
　　2. 低导通电阻设计，确保较低的传导损耗，提高整体效率。
　　3. 快速开关性能，降低开关损耗并优化高频应用表现。
　　4. 极低的输入电容和栅极电荷，有助于减少驱动功率需求。
　　5. 超宽的工作温度范围，从-55℃到+175℃，适应极端条件下的使用。
　　6. 符合RoHS标准，环保且满足国际法规要求。

应用

TSF10N80M的主要应用场景包括：
　　1. 开关电源（SMPS）中的主开关管。
　　2. 电机驱动电路中的功率开关元件。
　　3. 太阳能逆变器和其他可再生能源系统中的功率转换模块。
　　4. 工业设备中的高压控制电路。
　　5. 电动车充电站及储能系统的功率管理单元。
　　6. 各种需要高电压、大电流处理能力的电子设备。