您好,欢迎来到维库电子市场网 登录 | 免费注册

您所在的位置:电子元器件采购网 > IC百科 > TSD40N50DV

TSD40N50DV 发布时间 时间:2025/7/23 0:28:16 查看 阅读:5

TSD40N50DV 是一款由东芝(Toshiba)公司推出的高功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)器件。该器件主要设计用于高电压、高电流的应用场景,具备良好的导通性能和热稳定性。该MOSFET采用TO-220封装形式,便于散热,适用于各种工业设备、电源管理模块和电机驱动系统。

参数

类型:N沟道MOSFET
  漏源电压(Vds):500V
  漏极电流(Id):40A
  栅源电压(Vgs):±30V
  导通电阻(Rds(on)):典型值0.14Ω
  工作温度范围:-55°C至150°C
  封装类型:TO-220
  功率耗散(Pd):150W

特性

TSD40N50DV 具备出色的导通特性和较低的导通损耗,使其在高频率开关应用中表现出色。其低导通电阻(Rds(on))有助于减少功率损耗,提高整体系统效率。此外,该器件具备良好的热稳定性,能够在高温环境下稳定运行。该MOSFET还具备较高的短路耐受能力,确保在极端工作条件下也能保持可靠性。采用TO-220封装形式,不仅提高了散热效率,还便于安装在标准的散热片上,适用于各种高功率应用场景。
  TSD40N50DV 还具有快速开关特性,适用于高频率开关电源和电机控制应用。其栅极电荷(Qg)较低,减少了开关过程中的能量损耗,提高了系统的动态响应能力。此外,该器件的雪崩能量耐受能力较高,能够在突发的电压冲击下保持稳定运行,进一步增强了系统的安全性和可靠性。
  该MOSFET还具有良好的抗干扰能力和较长的使用寿命,适用于各种工业自动化设备、电源转换器、直流电机控制以及LED照明驱动等应用。

应用

TSD40N50DV 主要应用于高功率电子系统中,如开关电源(SMPS)、直流-直流转换器、电机驱动器、逆变器、LED照明驱动电路以及工业自动化设备中的功率控制模块。此外,该器件也可用于汽车电子系统、不间断电源(UPS)以及各种高电压、高电流的功率管理应用。

替代型号

TSD40N50DK, TK40N50D, TK40N50DJ, STP40NF50, IRFP460LC

TSD40N50DV推荐供应商 更多>

  • 产品型号
  • 供应商
  • 数量
  • 厂商
  • 封装/批号
  • 询价

TSD40N50DV资料 更多>

  • 型号
  • 描述
  • 品牌
  • 阅览下载