TSD40N50DV 时间：2025/7/23 0:28:16 阅读：8

TSD40N50DV 是一款由东芝（Toshiba）公司推出的高功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）器件。该器件主要设计用于高电压、高电流的应用场景，具备良好的导通性能和热稳定性。该MOSFET采用TO-220封装形式，便于散热，适用于各种工业设备、电源管理模块和电机驱动系统。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（Vds）：500V
　　漏极电流（Id）：40A
　　栅源电压（Vgs）：±30V
　　导通电阻（Rds(on)）：典型值0.14Ω
　　工作温度范围：-55°C至150°C
　　封装类型：TO-220
　　功率耗散（Pd）：150W

特性

TSD40N50DV 具备出色的导通特性和较低的导通损耗，使其在高频率开关应用中表现出色。其低导通电阻（Rds(on)）有助于减少功率损耗，提高整体系统效率。此外，该器件具备良好的热稳定性，能够在高温环境下稳定运行。该MOSFET还具备较高的短路耐受能力，确保在极端工作条件下也能保持可靠性。采用TO-220封装形式，不仅提高了散热效率，还便于安装在标准的散热片上，适用于各种高功率应用场景。
　　TSD40N50DV 还具有快速开关特性，适用于高频率开关电源和电机控制应用。其栅极电荷（Qg）较低，减少了开关过程中的能量损耗，提高了系统的动态响应能力。此外，该器件的雪崩能量耐受能力较高，能够在突发的电压冲击下保持稳定运行，进一步增强了系统的安全性和可靠性。
　　该MOSFET还具有良好的抗干扰能力和较长的使用寿命，适用于各种工业自动化设备、电源转换器、直流电机控制以及LED照明驱动等应用。