TSD40N50 时间：2025/7/23 11:27:32 阅读：6

TSD40N50是一款N沟道增强型功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛用于高功率开关应用。这款器件采用TO-220封装，具有低导通电阻、高耐压能力和良好的热稳定性，适用于电源转换器、电机驱动器和开关电源等电路。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（Vds）：500V
　　连续漏极电流（Id）：40A
　　栅源电压（Vgs）：±30V
　　导通电阻（Rds(on)）：典型值为0.13Ω
　　最大功率耗散（Pd）：150W
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C

特性

TSD40N50 MOSFET具备多项优异特性，使其适用于高功率和高效率的应用场景。首先，其高耐压能力（Vds=500V）使其适用于高压电源转换器和开关电源设计中，能够承受较大的电压波动而不损坏。其次，该器件的连续漏极电流能力达到40A，使其适用于高功率负载驱动，例如电机控制和直流电源供应器。此外，TSD40N50的导通电阻（Rds(on)）典型值仅为0.13Ω，这显著降低了导通状态下的功率损耗，从而提高了系统的整体效率。该器件还具有良好的热稳定性，最大功率耗散为150W，能够在高温环境下稳定运行，适用于高负荷和高密度的功率电子设备。TSD40N50采用TO-220封装，便于安装和散热管理，适合PCB设计和高功率应用中的热管理需求。此外，该器件的栅源电压范围为±30V，提供了良好的栅极驱动兼容性，可与多种控制电路配合使用，包括PWM控制器和微处理器。综上所述，TSD40N50是一款性能优异的功率MOSFET，适用于各种高压、高电流和高效率的电子系统。

应用

TSD40N50 MOSFET广泛应用于多种高功率电子系统，包括开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、逆变器、电机驱动器、电池充电器以及高功率LED驱动电路。在开关电源设计中，TSD40N50的高耐压和低导通电阻特性使其成为高效的开关元件，能够有效提升转换效率并降低发热。在电机控制和驱动电路中，该器件能够承受高电流负载，适用于电动工具、工业自动化设备和电动车控制器。此外，TSD40N50还可用于太阳能逆变器和储能系统，以实现高效的能量转换和管理。由于其优异的电气性能和稳定的封装设计，该器件也常用于各种高功率LED照明系统，以提供可靠的电流控制和高效的能量利用。