时间：2025/7/23 7:19:34
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TSD250N05V 是一款由东芝（Toshiba）制造的N沟道功率MOSFET。该器件设计用于高效率的电源管理应用，如DC-DC转换器、负载开关和马达控制。TSD250N05V的额定电压为500V，最大电流容量为25A，非常适合用于高功率密度设计。该MOSFET采用先进的沟槽式栅极技术，提供较低的导通电阻（RDS(on)）和快速的开关性能，从而减少开关损耗并提高整体效率。
类型：N沟道
最大漏极电流（ID）：25A
最大漏源电压（VDS）：500V
最大栅源电压（VGS）：±30V
导通电阻（RDS(on)）：0.15Ω @ VGS=10V
栅极电荷（Qg）：58nC
漏源击穿电压（BVDSS）：500V
工作温度范围：-55°C ~ +150°C
封装类型：TO-247
TSD250N05V具有多个关键特性，使其适用于高性能电源应用。首先，其低导通电阻（RDS(on)）减少了导通状态下的功率损耗，提高了系统效率。其次，该器件具备高耐压能力（500V），可适用于高压系统。此外，TSD250N05V的栅极电荷较低，有助于实现快速开关操作，从而减少开关损耗。
另一个显著特点是其热稳定性优异，能够承受高工作温度而不影响性能。这使其在高功率应用中具备良好的可靠性。TSD250N05V还具备较强的雪崩能量承受能力，增强了器件在突发负载条件下的耐用性。
封装方面，TSD250N05V采用TO-247标准封装，便于安装在散热器上，确保良好的散热性能。这种封装形式广泛用于工业级电源设计，具备良好的机械稳定性和热管理能力。
TSD250N05V适用于多种高功率电子系统，包括但不限于：
? 工业用DC-DC转换器
? 电机驱动和逆变器系统
? 电源管理模块
? 高压负载开关控制
? 太阳能逆变器
? 电源适配器和充电器
其高电压和高电流处理能力使其成为工业自动化、电力电子和新能源应用中的理想选择。
TSD250N05V的替代型号包括Toshiba的TSD250N06V、TSD200N05V以及STMicroelectronics的STD25NM50N。这些器件在性能参数和封装形式上相似，可作为替代选择。
