类型：N沟道增强型MOSFET
　　漏极电流（ID）：15A
　　漏极-源极击穿电压（VDS）：60V
　　栅极-源极电压（VGS）：±20V
　　导通电阻（RDS(on)）：80mΩ（最大）
　　功率耗散（PD）：40W
　　工作温度范围：-55°C至150°C
　　封装类型：TO-220

TSC73-151K MOSFET的主要特性之一是其低导通电阻，这有助于降低导通状态下的功率损耗，提高整体效率。该器件的高电流承载能力（15A）使其适用于高功率需求的应用。此外，它的快速开关特性减少了开关损耗，从而提高了电源转换系统的效率。
　　该MOSFET采用TO-220封装形式，便于散热并适用于常见的电路板布局。其±20V的栅极-源极电压容限使其在各种驱动条件下保持稳定，防止栅极过电压导致的损坏。TSC73-151K的工作温度范围较宽（-55°C至150°C），因此可以在严苛的环境条件下正常运行。
　　这款MOSFET的可靠性较高，适用于长时间运行的电源系统。其增强型结构确保在零栅极电压时器件处于关闭状态，避免了意外导通的风险。这些特性共同使得TSC73-151K成为一款适用于多种功率管理应用的理想选择。

TSC73-151K广泛应用于各种电源管理系统，包括开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、电池管理系统和电机控制电路。由于其高电流承载能力和低导通电阻，它在电源转换器中可以作为主开关元件，提高系统的整体效率。
　　此外，该MOSFET还可用于负载开关电路，例如用于控制大功率LED灯、加热元件或风扇的启停。在电池管理系统中，TSC73-151K可用于电池充放电控制，确保电池在安全范围内运行。其快速开关特性也使其适用于PWM（脉宽调制）控制电路，在电机驱动和电源调节中表现出色。
　　由于其宽工作温度范围和高可靠性，TSC73-151K也可用于工业自动化设备、汽车电子系统以及消费类电子产品中的功率管理模块。

TSC73-151K的替代型号包括IRFZ44N、STP16NF06、FDPF15N60。