时间：2025/8/9 13:14:31
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TS868C06R是一款由TELEFUNKEN（德律风根）公司生产的N沟道增强型功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要设计用于高效率、高频率的电源转换和功率控制应用。该器件采用先进的平面工艺技术制造，具备低导通电阻（RDS(on)）和快速开关特性，适用于如DC-DC转换器、同步整流器、电机控制、电池管理系统和负载开关等多种应用场景。
类型：N沟道MOSFET
最大漏源电压（VDS）：60V
最大栅源电压（VGS）：±20V
最大连续漏极电流（ID）：100A（在25°C下）
最大脉冲漏极电流（IDM）：320A
导通电阻（RDS(on)）：最大6.8mΩ（在VGS=10V时）
栅极电荷（Qg）：约170nC
工作温度范围：-55°C至175°C
封装形式：TO-263（D2PAK）
TS868C06R具有低导通电阻的特性，这有助于降低功率损耗并提高系统效率。该器件的RDS(on)在VGS=10V时仅为6.8mΩ，使其适用于高电流应用。此外，TS868C06R采用了先进的封装技术，提供了良好的热管理性能，能够在高温环境下稳定工作。
这款MOSFET具备快速开关能力，其开关参数（如导通延迟时间、关断延迟时间和上升/下降时间）经过优化，特别适用于高频开关应用。栅极电荷（Qg）较低，有助于减少驱动电路的负担并加快开关速度，从而进一步提高能效。
TS868C06R的工作温度范围为-55°C至175°C，显示出其在极端环境下的可靠性和稳定性。这种宽温范围的特性使其适用于工业控制、汽车电子、通信设备等对温度适应性要求较高的场合。
在封装方面，TS868C06R采用的是TO-263（D2PAK）表面贴装封装，这种封装不仅便于自动化生产和散热设计，还具备良好的机械强度和电气性能。
TS868C06R广泛应用于需要高效功率管理的各类电子系统中。常见的应用包括DC-DC转换器、同步整流器、电机控制电路、电池管理系统（BMS）、负载开关、电源管理系统、不间断电源（UPS）以及工业自动化设备中的功率控制模块。其优异的导通特性和热管理能力使其成为高功率密度设计的理想选择。此外，在新能源领域，如太阳能逆变器和电动汽车的电控系统中，TS868C06R也常被用于实现高效能的功率转换和控制。
SiR178DP-T1-GE3, FDS6680, IPB065N06NG, FDP100N60FS
