时间：2025/4/30 11:56:44
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TS5N214是一款单通道N沟道增强型MOSFET晶体管，适用于广泛的电子应用领域。该器件采用小型化封装设计，具有低导通电阻和快速开关性能的特点，非常适合用于负载开关、电源管理、DC-DC转换器等场景。其出色的电气特性和可靠性使其成为众多电路设计中的理想选择。
最大漏源电压：30V
最大栅源电压：±8V
持续漏极电流：2.9A
导通电阻：70mΩ
总功耗：460mW
工作温度范围：-55℃至150℃
封装类型：SOT-23
TS5N214具备以下主要特性：
1. 极低的导通电阻（Rds(on)），能够有效降低功率损耗。
2. 快速的开关速度，适合高频应用环境。
3. 小型SOT-23封装，节省PCB空间。
4. 宽工作温度范围，确保在极端环境下仍能稳定运行。
5. 高静电防护能力，提升器件的可靠性和耐用性。
6. 符合RoHS标准，绿色环保。
TS5N214广泛应用于以下领域：
1. 手机及便携式设备中的负载开关。
2. 电池供电产品的电源管理模块。
3. DC-DC转换器及降压/升压电路。
4. 各类保护电路，如过流保护和短路保护。
5. 消费类电子产品中的小型化设计需求。
6. 工业控制系统的信号切换与驱动电路。
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