时间：2025/5/12 15:41:22
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TS5N118是一款N沟道增强型MOSFET晶体管，广泛应用于开关电源、DC-DC转换器、电机驱动等领域。该器件采用了先进的制造工艺，具有低导通电阻和快速开关速度的特点，适用于多种功率管理应用。
TS5N118的设计注重高效能与高可靠性，能够提供稳定的电流传输能力，并在较宽的工作电压范围内保持良好的性能。
最大漏源电压：60V
最大栅源电压：±20V
连续漏极电流：5A
导通电阻：15mΩ
栅极电荷：9nC
总电容：470pF
工作温度范围：-55℃ to +150℃
TS5N118具备以下显著特性：
1. 极低的导通电阻（Rds(on)），可降低功耗并提高效率。
2. 快速开关速度，减少开关损耗，适合高频应用。
3. 高雪崩能力，能够在过载条件下保护电路。
4. 紧凑的封装形式，便于PCB布局设计。
5. 支持高电流输出，满足各种功率需求。
6. 良好的热稳定性，在高温环境下依然能够可靠运行。
TS5N118可以应用于以下领域：
1. 开关电源中的同步整流器。
2. DC-DC转换器的主开关或续流二极管替代方案。
3. 各类电机驱动电路，如步进电机和无刷直流电机控制。
4. 负载开关和电池保护电路。
5. LED驱动器和音频放大器等需要高性能功率管理的场合。
IRLZ44N
FDP5800
AO3400
