时间：2025/6/24 15:51:29
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TS4990EIJT 是一款由东芝（Toshiba）生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET。该器件广泛应用于开关电源、电机驱动、DC-DC 转换器以及其他需要高效功率开关的电路中。其设计注重低导通电阻和高开关速度，从而降低功耗并提升系统效率。
该型号采用 TO-252 封装形式，适合表面贴装技术（SMT），便于自动化生产和节省空间。
最大漏源电压：60V
连续漏极电流：21A
导通电阻：2.3mΩ（典型值，@ Vgs=10V）
栅极电荷：10nC（典型值）
输入电容：870pF（典型值）
工作结温范围：-55℃ 至 +150℃
封装形式：TO-252
TS4990EIJT 的主要特性包括：
1. 极低的导通电阻 (Rds(on))，有助于减少传导损耗并提高整体效率。
2. 高速开关性能，能够快速响应负载变化。
3. 内置反向恢复二极管，可以有效抑制反向电流冲击，适用于同步整流电路。
4. 较小的封装尺寸，方便 PCB 布局和优化散热设计。
5. 稳定的工作温度范围，适用于恶劣环境下的工业和汽车应用。
6. 符合 RoHS 标准，环保且安全可靠。
该芯片主要应用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）中的主开关或同步整流管。
2. 电机驱动控制，如无刷直流电机（BLDC）的逆变器模块。
3. DC-DC 转换器，用于降压或升压拓扑。
4. 各种电池管理系统（BMS），用于保护和均衡功能。
5. 工业设备及家电产品中的功率转换与控制电路。
TS4990EFJT, IRFZ44N, FDP5580
