时间：2025/12/23 10:28:00
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TS3A5017DR 是一款高性能、低电容的单刀双掷 (SPDT) 模拟开关，适用于各种需要低插入损耗和高信号完整性的应用。该器件具有超低导通电阻（RON）和出色的线性度，能够在高达 2.5 GHz 的频率范围内提供卓越的性能。其支持从 -0.4V 到 VDD + 0.4V 的宽输入电压范围，非常适合处理高速信号和高频通信系统。
TS3A5017DR 采用微型封装，工作电压范围为 1.65V 至 3.6V，并且具备独立于电源电压的信号切换能力，使其成为便携式设备的理想选择。
工作电压：1.65V ~ 3.6V
导通电阻（RON）：0.9Ω（典型值）
带宽：2.5GHz（-3dB 典型值）
切换时间：10ns（典型值）
输入电容：1.1pF（典型值）
工作温度范围：-40°C ~ 85°C
封装形式：W-QFN20 (3mm × 3mm)
静态电流：2.2μA（典型值）
1. 超低导通电阻（0.9Ω 典型值），可最大限度地减少信号失真。
2. 支持高达 2.5GHz 的带宽，适合高频应用。
3. 宽输入电压范围（-0.4V 至 VDD + 0.4V），允许处理超出供电轨的信号。
4. 独立于电源电压的信号切换功能，简化了系统设计。
5. 高 ESD 保护性能，增强芯片在恶劣环境中的可靠性。
6. 小巧的封装（3mm × 3mm W-QFN20），节省 PCB 空间。
7. 极低的静态电流（2.2μA 典型值），延长电池供电设备的续航时间。
1. 移动设备中的射频信号切换。
2. 高速数据传输系统的多路复用/解复用。
3. 视频信号切换和分配。
4. 医疗设备中的信号路径管理。
5. 工业自动化领域的传感器信号切换。
6. 测试与测量仪器中的信号路由控制。
7. 无线通信基础设施中的天线切换。
TS3A4517DR, TS3A5018DR
