时间：2025/6/19 1:47:56
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TS2814PU是一款高性能、低功耗的N沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件采用先进的制造工艺设计，广泛适用于开关电源、DC-DC转换器、负载开关以及其他需要高效能和低导通电阻的应用场景。TS2814PU具有较小的封装尺寸和出色的电气性能，能够有效降低系统功耗并提高效率。
这款MOSFET具备优秀的栅极驱动特性和快速的开关速度，非常适合高频应用环境。其低导通电阻特性使其在高电流条件下也能保持较低的功耗和温度上升。
最大漏源电压(Vds)：60V
最大栅源电压(Vgs)：±20V
连续漏极电流(Id)：35A
导通电阻(Rds(on))：4.5mΩ (典型值，Vgs=10V)
栅极电荷(Qg)：6nC (典型值)
输入电容(Ciss)：1220pF (典型值)
总功耗(Ptot)：140W
工作温度范围：-55°C 至 +175°C
TS2814PU的主要特性包括：
1. 极低的导通电阻，能够显著降低功率损耗。
2. 快速的开关速度，支持高频操作，减少开关损耗。
3. 高电流承载能力，适合大功率应用场景。
4. 良好的热稳定性，确保在高温环境下仍能正常运行。
5. 符合RoHS标准，环保且无铅。
6. 小型封装设计，节省PCB空间，同时优化散热性能。
7. 提供了强大的ESD保护功能，增强了器件的可靠性。
TS2814PU适用于多种电力电子应用领域，包括但不限于：
1. 开关模式电源(SMPS)中的主开关或同步整流元件。
2. DC-DC转换器中的高频开关元件。
3. 电机驱动电路中的功率控制元件。
4. 汽车电子系统中的负载开关。
5. 工业设备中的功率管理模块。
6. 通信设备中的信号切换和功率分配。
7. 各种便携式电子产品的电池管理单元。
IRF2814PBF, STP36NF06L
