容量：256MB
　　类型：SDRAM
　　接口：x16
　　电压：2.3V - 3.6V
　　封装：TSOP
　　工作温度：-40°C 至 +85°C
　　时钟频率：166MHz
　　数据速率：166MHz
　　数据宽度：16位
　　刷新周期：64ms
　　封装尺寸：54pin TSOP
　　存取时间：5.4ns
　　功耗：典型值约120mA（工作模式）
　　待机电流：最大10mA

TS256MSK64W6N 是一款高性能、低功耗的SDRAM芯片，适用于对内存容量和速度有较高要求的嵌入式系统和工业应用。该芯片采用了同步动态存储器技术，支持高速数据传输，并通过低功耗设计延长了设备的电池寿命。
　　该芯片的容量为256MB，采用x16位宽接口，支持166MHz的时钟频率，能够提供高达166MHz的数据速率，满足需要高速数据处理的应用需求。其工作电压范围为2.3V至3.6V，适应多种电源环境，并具备宽温工作范围（-40°C至+85°C），适用于工业级温度条件下的稳定运行。
　　此外，TS256MSK64W6N 采用54引脚TSOP封装，具有良好的散热性能和机械稳定性，适合在空间受限的嵌入式系统中使用。其64ms的刷新周期确保了数据的长期稳定性，同时降低了功耗。在待机模式下，芯片的电流消耗极低，有助于节能和延长设备续航时间。
　　该芯片还支持自动刷新和自刷新功能，能够在系统进入低功耗模式时维持内存数据的完整性，适用于需要长时间运行的工业和网络设备。TS256MSK64W6N 以其高性能、低功耗和广泛的适用性，成为众多嵌入式系统的理想选择。

TS256MSK64W6N 主要用于需要大容量内存和高性能数据处理的嵌入式系统和工业设备。常见的应用包括工业控制设备、网络路由器、视频监控设备、医疗设备、通信设备以及需要临时数据存储的嵌入式系统。该芯片的低功耗设计也使其适用于便携式设备和电池供电系统。

IS42S16256B-6T、MT48LC16M2A2B4-6A、CY7C1361BV25-166BGC、A3V16S40FTP-GS02