时间：2025/3/26 17:06:29
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TS15TSJ35T是一种高性能的功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于电源管理、电机驱动和开关电源等场景。该器件采用先进的制造工艺，具备低导通电阻、高效率和良好的热性能，适合在高频开关应用中使用。
其封装形式通常为TO-220或TO-263，具有较高的电流处理能力和散热能力，能够满足多种工业及消费类电子产品的设计需求。
类型：N沟道 MOSFET
最大漏源电压(Vds)：60V
最大栅源电压(Vgs)：±20V
连续漏极电流(Id)：40A
导通电阻(Rds(on))：5mΩ
栅极电荷(Qg)：75nC
工作温度范围：-55℃ to +175℃
封装形式：TO-220/TO-263
TS15TSJ35T具备低导通电阻的特点，这使得其传导损耗较低，从而提高了整体系统的效率。同时，该器件的高击穿电压和大电流承载能力使其适用于各种高功率场合。
此外，其快速开关特性和低栅极电荷确保了在高频应用中的优异表现。器件的高结温能力也增强了其在恶劣环境下的可靠性。TS15TSJ35T还拥有良好的热稳定性和抗浪涌能力，适合于长时间运行的设备。
它还支持过流保护和短路保护功能，在电路设计中增加了额外的安全性。
TS15TSJ35T主要应用于开关电源(SMPS)、DC-DC转换器、逆变器、电机驱动、不间断电源(UPS)以及各类工业控制领域。由于其高效的功率处理能力和优秀的热性能，该器件也非常适合用作负载开关或同步整流器。
此外，其高可靠性特点使其成为汽车电子、太阳能逆变器和通信电源的理想选择。
IRFZ44N
STP40NF06L
FDP068N06S
