TS10B06G 时间：2025/12/26 20:54:12 阅读：19

TS10B06G是一款由台湾半导体公司（TSC, Taiwan Semiconductor Company）推出的P沟道增强型功率MOSFET，广泛应用于电源管理、电池保护、负载开关以及DC-DC转换等低电压、中等电流的开关场景。该器件采用先进的沟槽式技术制造，具备低导通电阻、高效率和优良的热稳定性，适合在紧凑型电子设备中实现高效的电源控制。TS10B06G的工作电压范围覆盖常见的低压系统，其封装形式为SOT-23（小外形晶体管封装），具有体积小、便于表面贴装的优点，适用于便携式电子产品如智能手机、平板电脑、可穿戴设备和各类电池供电装置。
　　作为一款P沟道MOSFET，TS10B06G在关断时需要栅极为高电平（接近源极电压），而在导通时则需要栅极为低电平（相对于源极）。这种特性使其非常适合用于高端开关应用，例如在电池管理系统中作为反向电流阻断或过放电保护的控制元件。此外，TS10B06G具有良好的ESD（静电放电）防护能力，并符合RoHS环保标准，适用于无铅回流焊工艺。由于其优异的电气性能和可靠性，TS10B06G已成为许多消费类电子和工业控制电路中的首选功率开关器件之一。

参数

型号：TS10B06G
　　类型：P沟道MOSFET
　　最大漏源电压（VDS）：-20V
　　连续漏极电流（ID）：-4.1A
　　脉冲漏极电流（IDM）：-8.2A
　　最大栅源电压（VGS）：±12V
　　导通电阻（RDS(on)）：45mΩ @ VGS = -4.5V
　　导通电阻（RDS(on)）：55mΩ @ VGS = -2.5V
　　阈值电压（VGS(th)）：-0.8V ~ -1.4V
　　输入电容（Ciss）：420pF @ VDS = 10V
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　封装类型：SOT-23
　　功率耗散（PD）：1W @ TA = 25°C

特性

TS10B06G采用先进的沟槽栅极工艺设计，显著降低了导通电阻（RDS(on)），从而减少了导通状态下的功率损耗，提升了整体系统的能效表现。其在VGS = -4.5V条件下，典型RDS(on)仅为45mΩ，在同类P沟道MOSFET中处于领先水平，特别适用于对功耗敏感的应用场合。低RDS(on)不仅有助于减少发热，还能允许更高的持续电流通过，提升系统的负载能力。
　　该器件具备快速开关响应能力，得益于较低的栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss），使其能够在高频开关环境中稳定运行，适用于DC-DC转换器中的同步整流或开关控制。同时，其阈值电压（VGS(th)）设计合理，确保在低控制电压下也能可靠导通，兼容3.3V或5V逻辑电平驱动，无需额外电平转换电路，简化了系统设计复杂度。
　　TS10B06G具有优良的热稳定性和长期可靠性，在高温环境下仍能保持稳定的电气性能。其最大结温可达150°C，并内置热关断保护机制，防止因过热导致器件损坏。此外，该MOSFET通过了严格的可靠性测试，包括高温反向偏压（HTRB）、高温栅极偏压（HTGB）和温度循环测试，确保在严苛工作条件下的长期稳定性。
　　器件采用SOT-23封装，尺寸小巧（约2.9mm x 1.3mm x 1.0mm），非常适合空间受限的高密度PCB布局。该封装还具备良好的散热性能，可通过PCB走线进行有效热传导，进一步提升功率处理能力。整体而言，TS10B06G凭借其高性能、小尺寸和高可靠性，成为现代低电压电源管理系统的理想选择。

应用

TS10B06G广泛应用于各种便携式电子设备和低压电源管理系统中。典型应用场景包括锂电池保护电路，作为高端开关用于控制电池的充放电路径，防止过流、短路和反接情况发生。在移动电源、蓝牙耳机、智能手环等产品中，常被用作负载开关，实现模块的上电顺序控制或休眠模式下的电源切断，以降低待机功耗。
　　该器件也常见于DC-DC降压或升压转换器中，作为高端P沟道开关管使用，尤其适用于输入电压较低（如3.3V或5V）的非隔离型Buck电路。由于其无需复杂的自举电路即可实现完全导通，相比N沟道高端开关更具设计便利性，降低了外围元件数量和成本。
　　在主板或嵌入式系统的电源排序电路中，TS10B06G可用于实现多路电源的使能控制，确保各供电轨按预定顺序上电，避免浪涌电流或逻辑错误。此外，它还可用于USB接口的电源开关，提供过流保护和热插拔支持，保障外设连接的安全性。
　　工业控制领域中，TS10B06G也被用于传感器模块、继电器驱动电路或PLC输入输出单元中的信号切换。其高抗干扰能力和稳定的电气特性，使其能在电磁环境较复杂的工业现场可靠运行。总之，TS10B06G适用于所有需要小型化、高效能P沟道MOSFET的低压开关应用场合。