TRW1014B7A 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片,主要应用于开关电源、电机驱动、DC-DC转换器等场景。该器件采用先进的制造工艺,具有低导通电阻和快速开关速度的特点,能够在高电流和高频应用中提供卓越的效率和可靠性。
TRW1014B7A 的封装形式通常为 TO-220 或 DPAK,适合多种工业及消费类电子产品的设计需求。
类型:N-Channel MOSFET
最大漏源电压(Vds):100V
最大栅源电压(Vgs):±20V
最大漏极电流(Id):14A
导通电阻(Rds(on)):7mΩ
栅极电荷(Qg):35nC
工作温度范围:-55°C to 150°C
总功耗(Ptot):108W
TRW1014B7A 具有以下显著特性:
1. 极低的导通电阻(Rds(on)),能够显著降低传导损耗,提升整体系统效率。
2. 快速开关性能,支持高频应用,减少磁性元件体积并优化电路设计。
3. 高雪崩能量能力,增强了器件在异常条件下的鲁棒性和可靠性。
4. 符合 RoHS 标准,环保且满足全球法规要求。
5. 支持大电流操作,适用于高功率密度的应用场景。
6. 内部集成 ESD 保护,提高了抗静电能力,从而增强产品稳定性。
TRW1014B7A 广泛应用于以下领域:
1. 开关电源(SMPS)中的同步整流功能。
2. DC-DC 转换器的核心开关元件。
3. 电机驱动中的功率级控制。
4. 工业自动化设备中的负载切换。
5. 汽车电子中的电池管理系统。
6. 各种需要高效功率转换的消费类电子产品,例如笔记本适配器、LED 照明驱动等。
IRFZ44N
STP14NM50
FDP14N10
IXFN14N10T2