时间：2025/4/30 8:53:48
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TRPGR30ATGC 是一款由 Toshiba（东芝）生产的 N 沟道功率 MOSFET。该器件采用 TO-263 封装形式，适用于需要高效率和低导通电阻的电源管理、电机驱动以及开关应用等场景。
这款功率 MOSFET 具有出色的导通特性和开关特性，能够显著降低功率损耗并提高系统效率。
最大漏源电压：60V
连续漏极电流：30A
导通电阻：4.5mΩ
栅极电荷：71nC
总功耗：95W
工作温度范围：-55℃ 至 +150℃
TRPGR30ATGC 的主要特性包括以下几点：
1. 极低的导通电阻 (Rds(on))，可有效减少传导损耗。
2. 高电流处理能力，能够承受高达 30A 的连续漏极电流。
3. 快速开关速度，得益于较低的栅极电荷 (Qg)，适合高频应用。
4. 良好的热稳定性，能够在宽泛的工作温度范围内可靠运行。
5. 符合 RoHS 标准，环保且适用于现代工业需求。
6. 采用 TO-263 表面贴装封装，便于自动化生产和散热设计。
TRPGR30ATGC 广泛应用于多种领域，主要包括以下几个方面：
1. 开关电源 (SMPS) 和 DC-DC 转换器中的功率开关。
2. 电机驱动电路，例如用于家用电器、工业设备或电动工具。
3. 各类负载开关及保护电路。
4. 电池管理系统 (BMS) 中的大电流控制。
5. 照明系统的电子镇流器和 LED 驱动电路。
6. 其他需要高效功率切换的应用场景。
IRFZ44N, FDP17N30, STP30NF06L
