TRP18130P是一款由东芝(Toshiba)生产的功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),主要用于高功率应用中,如电源管理、电机控制、负载开关以及DC-DC转换器等。该器件采用P沟道结构,适用于高边开关应用,具备低导通电阻(Rds(on))和高耐压特性,能够在高电流负载下保持较低的功率损耗。TRP18130P采用表面贴装封装(如SOP或DFN),适用于自动化组装工艺,广泛应用于汽车电子、工业控制和消费类电子产品。
类型:P沟道MOSFET
漏源电压(Vds):-30V
栅源电压(Vgs):±20V
连续漏极电流(Id):-18A
导通电阻(Rds(on)):最大30mΩ(典型值)
功耗(Pd):40W
工作温度范围:-55℃ ~ 150℃
封装形式:SOP8或DFN3x3
TRP18130P具备出色的电气性能和热稳定性,其核心优势在于低导通电阻,有助于降低导通损耗,提高系统效率。
该器件的P沟道结构使其特别适用于高边开关应用,如电源管理系统中的负载切换控制。
在热设计方面,TRP18130P采用了优化的封装技术,能够有效散热,确保在高电流工况下的稳定性。
此外,该MOSFET具有良好的栅极驱动兼容性,可与常见的12V或5V驱动电路配合使用,简化了外围电路设计。
TRP18130P的封装设计支持自动化贴片工艺,提高了生产效率,并满足RoHS环保标准要求。
其宽泛的工作温度范围(-55℃至150℃)也使其适用于汽车电子等对环境适应性要求较高的应用场景。
由于其高可靠性和良好的电气性能,TRP18130P在工业电源、电动工具、电池管理系统(BMS)等领域具有广泛的应用前景。
TRP18130P广泛应用于各种需要高效功率控制的场景,包括但不限于:
电源管理系统中的高边开关控制;
DC-DC转换器与同步整流电路;
电机驱动和电动工具控制电路;
汽车电子系统,如车载充电器、电动助力转向系统;
电池管理系统(BMS)中的充放电控制电路;
消费类电子产品中的负载开关和电源管理模块。
Si4435BDY, AO4413, FDS6680, IPD180P03P4-03