类型：P沟道MOSFET
　　漏极-源极电压（Vds）：-30V
　　栅极-源极电压（Vgs）：±20V
　　连续漏极电流（Id）：-1.3A
　　导通电阻（Rds(on)）：最大值180mΩ（在Vgs=-10V时）
　　功耗（Pd）：1.25W
　　工作温度范围：-55°C至150°C
　　封装类型：SOT-23

TRP17130P采用了先进的沟槽式MOSFET技术，使其在导通电阻和开关速度方面表现出色。其P沟道设计适用于高边开关应用，如电源管理电路和负载开关。该器件的低导通电阻可以降低功率损耗，提高整体效率，同时减少发热问题。此外，TRP17130P的封装形式为SOT-23，具有较小的体积，适用于高密度电路设计。
　　该MOSFET的栅极驱动电压范围较宽，支持-20V至+20V的输入，增强了其在不同应用场景下的适应性。TRP17130P还具备良好的热稳定性和可靠性，适合在工业级温度范围内运行。其设计允许快速开关操作，从而减少开关损耗，提高系统的动态响应能力。
　　由于其小型封装和优异的电气性能，TRP17130P非常适合用于便携式设备、电池供电系统、DC-DC转换器以及各类电源管理模块中。此外，该器件的制造工艺符合RoHS环保标准，符合现代电子产品对环保和可持续发展的要求。

TRP17130P广泛应用于需要高效功率管理的电子产品中。其主要应用场景包括：电池供电设备的电源开关、DC-DC转换器中的高边开关、负载分配电路、电压调节模块以及各种工业控制设备中的功率控制部分。此外，该MOSFET也可用于通信设备、消费电子产品和汽车电子系统中的电源管理模块。

Si2301DS, FDN304P, ZXM61N03Z