时间：2025/8/3 0:22:53
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TRP15130P 是一款由东芝（Toshiba）推出的P沟道功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），适用于高效率的电源管理系统和负载开关应用。该器件采用高性能的U-MOS技术制造，具有低导通电阻、高可靠性和优异的热稳定性。TRP15130P 通常用于DC-DC转换器、电池供电设备、电源管理模块以及各种需要高效功率开关的场合。
类型：P沟道MOSFET
最大漏源电压（Vds）：-30V
最大栅源电压（Vgs）：±20V
最大连续漏极电流（Id）：-15A（在Tc=25°C时）
导通电阻（Rds(on)）：最大28mΩ（当Vgs=-10V时）
功耗（Pd）：100W
工作温度范围：-55°C ~ +150°C
封装形式：TO-252（DPAK）
TRP15130P 在性能和封装方面具备多项优势，特别适合高功率密度设计。首先，其P沟道结构使得在负载开关和同步整流应用中能够实现低损耗和快速开关响应。其次，该MOSFET采用了东芝先进的U-MOS技术，显著降低了导通电阻，从而减少了导通损耗，提高了整体效率。
此外，TRP15130P 的TO-252（DPAK）封装形式具备良好的热管理性能，有助于在高电流条件下有效散热，确保器件在高负载下仍能稳定运行。该封装还具有较小的PCB占用空间，适合对尺寸敏感的设计。
该器件的栅极驱动电压范围较宽，支持-10V至0V之间的驱动，兼容多种常见的电源管理IC和驱动器。这使得TRP15130P 可广泛用于多种拓扑结构的电源转换系统中，例如降压（Buck）转换器、升压（Boost）转换器和负载开关电路。
另外，TRP15130P 具有较高的雪崩能量耐受能力，能够在异常工作条件下提供更好的可靠性和稳定性，适用于对安全性和稳定性要求较高的工业和车载应用。
TRP15130P 主要应用于电源管理系统、DC-DC转换器、负载开关、电机控制、电池供电设备以及电源管理模块等领域。其高效率和低导通电阻的特性使其成为高性能电源设计的理想选择。
TPC8103, Si4435DY, IRF9Z24N, FDP047N03A
