TR3Y29B 时间：2025/8/28 0:24:36 阅读：24

TR3Y29B 是一款由东芝（Toshiba）生产的功率晶体管，属于MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）类别。该器件主要用于需要高效功率管理的应用场合，例如电源供应器、电机控制以及各种开关电路。TR3Y29B采用了高性能的硅基技术，能够提供良好的导通性能和较低的开关损耗，适用于中高功率级别的电子系统。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压（Vds）：60V
　　最大栅源电压（Vgs）：±20V
　　最大连续漏极电流（Id）：120A
　　最大功率耗散（Pd）：200W
　　导通电阻（Rds(on)）：约2.9mΩ（典型值）
　　封装形式：TO-247
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C

特性

TR3Y29B具有低导通电阻的特性，这有助于降低导通状态下的功率损耗，从而提高整体系统的效率。其高电流容量和较大的功率耗散能力使其适用于需要大电流负载管理的场景。该MOSFET还具备良好的热稳定性，能够在较高的温度环境下可靠运行。
　　此外，TR3Y29B的封装形式为TO-247，这种封装不仅提供了良好的散热性能，还便于安装在散热片上，从而进一步提升器件的热管理能力。TO-247封装广泛用于工业级功率电子设备中。
　　该器件的栅极驱动设计允许使用标准的逻辑电平进行控制，这使得TR3Y29B可以与多种控制器或驱动IC兼容，简化了电路设计。同时，TR3Y29B具有较高的雪崩能量承受能力，能够在突发的电压尖峰情况下保持稳定运行，增强了系统的可靠性和耐用性。
　　TR3Y29B的制造工艺采用了先进的沟槽式栅极结构，这有助于进一步降低导通电阻并提高开关速度，从而在高频开关应用中表现出色。