时间：2025/8/3 1:59:03
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TR200PW是一款由意法半导体（STMicroelectronics）生产的双N沟道功率MOSFET，常用于高性能电源管理和电机控制应用。该器件采用PowerSO-10封装，具有低导通电阻（Rds(on)）和高电流处理能力，适用于高效能转换系统，如DC-DC转换器、负载开关和电源管理模块。TR200PW的双MOSFET结构使其能够在多个功率管理拓扑中提供紧凑且高效的解决方案。
类型：功率MOSFET（双N沟道）
漏源电压（Vds）：200V
连续漏极电流（Id）：8A（每个通道）
导通电阻（Rds(on)）：0.22Ω @ Vgs = 10V
栅极电压（Vgs）：±20V
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
封装：PowerSO-10
TR200PW采用双N沟道MOSFET结构，能够在单一封装中实现两个独立的功率开关，适用于高密度和高效率的应用场景。其漏源电压为200V，能够承受较高的工作电压，适用于工业电源、电机驱动和电池管理系统等。每个通道的连续漏极电流为8A，支持中高功率负载操作，同时具备良好的热稳定性。
该器件的导通电阻为0.22Ω，在10V栅极电压下具有较低的导通损耗，从而提高整体能效。此外，TR200PW具备较高的栅极电压容限（±20V），可适应不同的驱动电路设计，并减少因过压引起的损坏风险。其工作温度范围从-55°C到+150°C，适合在极端环境条件下运行。
TR200PW的PowerSO-10封装设计不仅提供了良好的散热性能，还减少了PCB占用空间，非常适合需要紧凑布局的电源系统。该器件还具备良好的抗雪崩能力和短路耐受能力，提高了系统可靠性。
TR200PW广泛应用于电源管理系统、DC-DC转换器、电机驱动器、负载开关和工业自动化设备。其双MOSFET结构适用于H桥驱动、电源切换和双向电流控制等应用场景。此外，该器件也适用于便携式电子设备的电源管理模块，提供高效能和低功耗解决方案。
STD8N20T4AG, STB8NM20T4AG
