频率范围：2.3 GHz - 2.7 GHz
　　输出功率：650 W (典型值)
　　漏极效率：>60% (典型值)
　　增益：>18 dB (典型值)
　　封装类型：螺栓式封装
　　工作电压：50 V
　　热阻：0.15°C/W (典型值)
　　阻抗匹配：50Ω

TQQ2526的主要特性之一是其基于GaN技术的高功率密度，使其在有限的封装空间内能够处理高功率水平。这使其非常适合用于5G基站等需要高线性度和高效率的应用场景。该器件具有出色的热管理能力，能够快速散发工作过程中产生的热量，从而提高器件的可靠性和寿命。此外，TQQ2526具有高增益和宽频率覆盖范围，可在2.3 GHz至2.7 GHz范围内提供稳定的性能。其50Ω输入和输出阻抗设计简化了外部匹配电路的要求，减少了设计复杂度。TQQ2526还具有高耐久性，能够在高电压和高电流环境下长时间稳定运行，满足通信系统对长期可靠性的严苛要求。
　　在电气性能方面，TQQ2526在2.6 GHz频率下可以提供高达650 W的连续波（CW）输出功率，漏极效率超过60%，这不仅提高了能源利用率，还减少了冷却系统的需求。其高增益特性（超过18 dB）使得它能够在多级放大器结构中减少所需的前置放大器级数，从而降低整体系统的复杂性和成本。此外，该器件的高线性度表现使其适用于现代通信系统中的复杂调制格式，如OFDM和QAM，确保信号传输的准确性和稳定性。

TQQ2526主要应用于4G/5G通信基站的射频功率放大器模块，特别是在大规模MIMO和远程无线电单元（RRU）中。此外，该器件也适用于工业、科学和医疗（ISM）频段的高功率射频系统、广播设备以及测试与测量仪器。其高功率输出和高效率特性使其成为需要高线性度和高稳定性的射频放大器设计的理想选择。在军事和航空航天领域，TQQ2526也可用于雷达和通信设备中，以满足高性能和高可靠性要求。

T2K600520M, TGG2729-SM