TQP3M9036 是一款高性能的射频功率晶体管,采用先进的 GaN(氮化镓)技术制造。它专为高频、高效率应用而设计,适用于通信基站、雷达系统和微波设备等场景。该器件能够在高频段提供卓越的输出功率和增益性能,同时保持较低的功耗和出色的线性度。
这款晶体管具有坚固的封装设计,能够承受严苛的工作环境,并且支持宽带宽操作,使得其在多种无线通信标准中表现出色。
最大功率:40W
频率范围:20MHz 至 1GHz
增益:15dB
效率:70%
工作电压:28V
封装形式:陶瓷封装
输入匹配阻抗:50Ω
输出匹配阻抗:50Ω
存储温度:-55°C 至 +100°C
TQP3M9036 的主要特性包括以下几点:
1. 使用 GaN 技术制造,具备高击穿电压和高电子迁移率,使其能够在高频和高功率条件下高效运行。
2. 支持宽泛的频率范围,从低频到高频均可使用,适合多频段应用。
3. 高效率设计减少了热量产生,提升了系统的整体能效。
4. 内置匹配网络简化了外部电路设计,从而降低了开发复杂度。
5. 稳定性和可靠性经过严格测试,能够在极端环境下长期稳定工作。
TQP3M9036 广泛应用于以下领域:
1. 无线通信基站中的功率放大器模块。
2. 工业、科学和医疗(ISM)设备中的射频信号传输。
3. 雷达系统,尤其是需要高功率和高增益的应用场景。
4. 测试与测量设备中的信号源和放大器。
5. 卫星通信和广播系统中的上行链路放大器组件。
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