时间：2025/5/12 19:25:01
阅读：5
TPT75176A-VS1R是一款高性能的N沟道MOSFET晶体管，采用VSOP8封装形式。该器件专为高频开关应用而设计，具有低导通电阻和快速开关速度的特点。其出色的电气性能使其成为功率转换、电机驱动以及负载开关等应用的理想选择。
该MOSFET采用了先进的半导体制造工艺，确保了其在各种恶劣环境下的可靠性和稳定性。此外，其较低的栅极电荷和输出电容使得开关损耗得以显著降低，从而提高了整体效率。
型号：TPT75176A-VS1R
类型：N-Channel MOSFET
封装：VSOP8
最大漏源电压(Vdss)：70V
最大栅源电压(Vgs)：±20V
连续漏极电流(Id)：14A
导通电阻(Rds(on))：1.3mΩ（典型值，在Vgs=10V时）
栅极电荷(Qg)：9nC（典型值）
输入电容(Ciss)：930pF（典型值）
总功耗(Ptot)：2.3W
工作温度范围(Top r.)：-55℃至+150℃
TPT75176A-VS1R具备以下主要特性：
1. 极低的导通电阻（1.3mΩ），有助于减少传导损耗，提高系统效率。
2. 快速开关能力，得益于其较小的栅极电荷和输出电容。
3. 高雪崩耐量，增强在过流或短路条件下的可靠性。
4. 支持高温操作（最高可达+150℃），适合苛刻的工作环境。
5. 符合RoHS标准，绿色环保。
6. 小型化的VSOP8封装，节省PCB空间，便于高密度设计。
7. 出色的热稳定性，保证长时间运行的可靠性。
TPT75176A-VS1R广泛应用于以下领域：
1. 开关电源(SMPS)中的同步整流。
2. 直流-直流(DC-DC)转换器。
3. 电机驱动电路。
4. 负载开关和保护电路。
5. 电池管理系统的充放电控制。
6. 工业自动化设备中的功率控制。
7. 汽车电子领域的各类开关和驱动应用。
8. 通信电源和消费类电子产品中的高效功率转换解决方案。
TPT75176A-D2PAK, IRF7843PBF, FDP16N07L
