时间：2025/6/12 18:34:42
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TPT75176A-SO1R 是一款高性能的 N 沟道功率 MOSFET，采用 SO-8 封装形式。该器件具有低导通电阻（Rds(on)）特性，适用于需要高效率和低功耗的应用场景。其设计能够承受较高的连续漏极电流，并在较宽的工作电压范围内保持稳定性能。TPT75176A-SO1R 广泛应用于开关电源、电机驱动、负载开关以及其他电力电子领域。
最大漏源电压：60V
最大栅源电压：±20V
连续漏极电流：42A
导通电阻（Rds(on)）：4.5mΩ（典型值，在 Vgs=10V 时）
栅极电荷：39nC（典型值）
总电容：1440pF
工作结温范围：-55°C 至 +175°C
1. 极低的导通电阻 Rds(on)，有助于减少传导损耗并提高系统效率。
2. 高雪崩能量能力，增强了器件在异常条件下的鲁棒性。
3. 快速开关速度，适合高频应用环境。
4. 符合 RoHS 标准，环保且安全可靠。
5. 良好的热性能表现，可有效降低芯片温度，延长使用寿命。
6. 宽范围的工作结温，适应多种恶劣环境需求。
1. 开关模式电源（SMPS）中的同步整流。
2. DC-DC 转换器及降压/升压电路。
3. 电池保护与管理模块。
4. 电机控制和驱动电路。
5. 各类负载开关与保护电路。
6. 逆变器以及光伏能源相关设备。
7. 工业自动化与汽车电子领域中的大电流切换应用。
IRF7734, FDP5800, AO4404
