时间：2025/7/17 20:57:25
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TPSF12C3是一款由东芝（Toshiba）公司生产的功率MOSFET晶体管，属于N沟道增强型场效应晶体管。该器件广泛应用于电源管理、开关电源（SMPS）、DC-DC转换器以及负载开关等高效率电力电子系统中。TPSF12C3采用先进的沟槽式（Trench）技术，具有较低的导通电阻（RDS(on)），从而降低了导通损耗并提高了整体能效。
类型：N沟道MOSFET
最大漏源电压（VDS）：100V
最大连续漏极电流（ID）@TC=25°C：60A
RDS(on) @VGS=10V：典型值为9.7mΩ，最大值为13.5mΩ
栅极阈值电压（VGS(th)）：1.0~2.5V
最大功耗（PD）：140W
工作温度范围：-55°C ~ +175°C
TPSF12C3具备出色的导通性能和高效的热管理能力。其低导通电阻确保在大电流条件下仍能保持较小的功率损耗，有助于提升系统的整体效率。
该器件采用了高性能的Trench沟槽结构，优化了电场分布，增强了器件的雪崩击穿耐受性，从而提升了可靠性和稳定性。
此外，TPSF12C3的封装设计支持快速散热，使其能够适用于高密度、高功率的应用场景。其较高的栅极阈值电压允许与多种控制IC直接连接，简化了驱动电路的设计。
该MOSFET还具有良好的抗短路能力和较强的耐用性，在恶劣的工作环境下仍能维持稳定运行。
TPSF12C3常用于各类电源管理系统，包括同步整流器、DC-DC降压/升压转换器、电池管理系统（BMS）以及电机控制电路。
在工业自动化设备、通信电源、服务器电源模块以及新能源领域如太阳能逆变器中，TPSF12C3也得到了广泛应用。
此外，由于其优异的导通特性和高可靠性，该器件也被广泛用作负载开关或热插拔保护元件，适用于需要频繁开关操作的场合。
在汽车电子系统中，例如车载充电器、电动助力转向系统（EPS）以及其他车用功率控制单元中也有一定的应用空间。
TPSMB12C3, TPSMB12C3G, SiSS12CN, FDS6680, AO4406
