时间：2023/7/5 11:41:34
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TPS51216RUKR以最低的总成本和最小的空间为DDR2、DDR3和DDR3L内存系统提供完整的电源。它集成了一个同步降压稳压器控制器(VDDQ)、一个2A灌/源跟踪LDO(VTT)和缓冲低噪声基准(VTTREF)。TPS51216RUKR采用D-CAP?模式以及300kHz/400kHz频率，以实现易用性和快速瞬态响应。VTTREF以出色的0.8%精度跟踪VDDQ/2。VTT提供2A灌入/拉出峰值电流能力，只需要10μF的陶瓷电容。此外，还提供专用LDO电源输入。TPS51216RUKR提供丰富的实用功能以及出色的电源性能。它支持灵活的电源状态控制，在S3中将VTT置于高阻态，在S4/S5状态下对VDDQ、VTT和VTTREF(软关闭)进行放电。还提供具有低侧MOSFETRDS(on)感应、OVP/UVP/UVLO和热关断保护的可编程OCL。
| 制造商 | 德州仪器 |
| 制造商产品编号 | TPS51216RUKR |
| 描述 | IC REG CTRLR DDR 2OUT 20WQFN |
| 详细描述 | series控制器，DDR稳压器IC2输出20-WQFN(3x3) |
| 类别 | 集成电路(IC)PMIC-稳压器-特殊用途 |
| 系列 | D-CAP |
| 工作温度 | -40°C~85°C |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | 20-WFQFN裸露焊盘 |
| 供应商器件封装 | 20-WQFN(3x3) |
| 基本产品编号 | TPS51216 |
TPS51216RUKR
| 零件状态 | 在售 |
| 应用 | 控制器，DDR |
| 电压-输入 | 4.5V~5.5V |
| 输出数 | 2 |
| 电压-输出 | 0.7V~1.8V |
| 引脚数 | 20 |
| 最大输入电压 | 28V |
| 最高工作温度 | 85°C |
| 最大输出电流 | 20安 |
| 最大输出电压 | 1.8V |
| 最小输入电压 | 3伏 |
| 最低工作温度 | -40°C |
| 最小输出电压 | 700毫伏 |
| 工作电源电流 | 600μA |
| 工作电源电压 | 5.5V |
| 输出电压 | 1.8V |
| 包装 | 卷带式(TR) |
| 静态电流 | 600μA |
| 开关频率 | 400kHz |
| 高度 | 0米 |
| 长度 | 3毫米 |
| 厚度 | 750微米 |
| 宽度 | 3毫米 |
| 属性 | 描述 |
| RoHS状态 | 符合ROHS3规范 |
| 湿气敏感性等级(MSL) | 2(1年) |
| REACH状态 | 非REACH产品 |
| 无铅 | 无铅 |
| 辐射硬化 | 不 |
同步降压控制器(VDDQ)
转换电压范围：3V至28V
输出电压范围：0.7V至1.8V
0.8%VREF精度
用于快速瞬态响应的D-CAP?模式
可选300kHz/400kHz开关频率
通过自动跳跃功能优化轻载和重载时的效率
支持S4/S5状态下的软关闭
OCL/OVP/UVP/UVLO保护
电源良好输出
2ALDO(VTT)，缓冲基准(VTTREF)
2A(峰值)灌电流和拉电流
仅需10μF的陶瓷输出电容
缓冲、低噪声、10mAVTTREF输出
0.8%VTTREF、20mVVTT精度
支持S3中的高阻和S4/S5中的软关闭
热关断
20引脚、3mm×3mm、QFN封装
DDR2/DDR3/DDR3L内存电源
SSTL_18、SSTL_15、SSTL_135和HSTL终止
TPS51216RUKR符号
TPS51216RUKR脚印
TPS51216RUKR封装
| 型号 | 制造商 | 品名 | 描述 |
| TPS51216RUKT | 德州仪器 | 稳压芯片 | 芯片,降压控制器,DDR2/3/3L,2ALDO,20QFN |
