工作电压范围：4.5V 至 18V
　　输出电流能力：最高 1.5A（峰值）
　　工作温度范围：-40°C 至 150°C
　　封装类型：14 引脚 HTSSOP
　　驱动器类型：高边 N 沟道 MOSFET 栅极驱动器
　　静态电流：典型值 20μA
　　过热保护：内置
　　欠压锁定（UVLO）：内置
　　输入逻辑类型：TTL/CMOS 兼容

TPS4H160B-Q1 具备多项先进特性，确保其在汽车环境中的稳定性和可靠性。
　　首先，该器件采用 BiCMOS 工艺，结合了双极型晶体管的高性能和 CMOS 工艺的低功耗优势，使得驱动器能够在高效率的同时保持较低的静态电流（典型值为 20μA），非常适合对功耗敏感的应用。
　　其次，TPS4H160B-Q1 内置了欠压锁定（UVLO）功能，当电源电压低于设定阈值时，系统会自动关闭以防止 MOSFET 在不安全电压下工作，从而避免潜在的损坏或不稳定行为。此外，该器件还具备过热保护功能，当芯片温度超过安全工作范围时，内部保护机制会自动关闭输出，防止热过载损坏。
　　该驱动器的输出电流能力高达 1.5A 峰值电流，能够快速有效地驱动大功率 N 沟道 MOSFET，实现快速开关，降低开关损耗并提高系统效率。其工作电压范围为 4.5V 至 18V，支持多种电源输入配置，适应不同应用场景的需求。
　　TPS4H160B-Q1 的输入逻辑兼容 TTL 和 CMOS 电平，使其能够与多种控制器和微处理器无缝连接，简化了系统设计。其封装形式为 14 引脚 HTSSOP，具有良好的散热性能和空间利用率，适合在高密度 PCB 设计中使用。
　　作为汽车级器件，TPS4H160B-Q1 符合 AEC-Q100 认证标准，工作温度范围为 -40°C 至 150°C，适用于严苛的汽车环境。

TPS4H160B-Q1 主要应用于汽车电子系统，如电动助力转向（EPS）、电池管理系统（BMS）、车载充电器（OBC）、DC-DC 转换器、电机驱动器和负载开关控制等。
　　在电动助力转向系统中，TPS4H160B-Q1 可用于驱动高边 MOSFET，实现电机的高效控制，提高系统的响应速度和稳定性。
　　在电池管理系统中，该器件可作为高边开关控制电路的一部分，用于精确控制电池充放电路径，提升电池管理的效率和安全性。
　　在车载充电器和 DC-DC 转换器中，TPS4H160B-Q1 可用于驱动主功率 MOSFET，实现高效率的电源转换，同时通过其内置保护功能提高系统的可靠性。
　　此外，TPS4H160B-Q1 还适用于需要高边栅极驱动的各种工业和汽车级电源管理系统。

TPS4H160-Q1, LM5112-Q1, DRV8703D-Q1