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TPS2830D 发布时间 时间:2025/7/18 12:16:48 查看 阅读:3

TPS2830D 是由 Texas Instruments(德州仪器)生产的一款高速、低侧 N 沟道 MOSFET 驱动器。该芯片设计用于驱动一个外部 N 沟道 MOSFET,适用于需要高效率和快速开关的应用,例如电源转换器、电机驱动和负载开关控制。TPS2830D 提供了宽输入电压范围、低传播延迟和高输出驱动能力,能够有效提升系统性能和可靠性。

参数

供电电压:4.5V 至 25V
  输出驱动电流:±5A(典型值)
  传播延迟:12ns(典型值)
  上升/下降时间:2.5ns(典型值,1000pF负载)
  工作温度范围:-40°C 至 +125°C
  封装类型:SOIC-8

特性

TPS2830D 具备多项高性能特性,适用于高频率和高效率的功率转换应用。其宽输入电压范围(4.5V 至 25V)使其能够兼容多种电源架构,并支持从低压到高压系统的灵活设计。该芯片提供高达 ±5A 的峰值输出驱动电流,能够有效驱动低 RDS(on) 的大功率 N 沟道 MOSFET,从而降低开关损耗并提高系统效率。
  此外,TPS2830D 的传播延迟仅为 12ns(典型值),并具有快速的上升和下降时间(典型值为 2.5ns,1000pF 负载),这使其非常适合高频开关应用,如同步整流、DC-DC 转换器和电机控制。该芯片内置的欠压锁定(UVLO)功能可防止在电源电压不足时误操作,从而提高系统的稳定性。
  TPS2830D 采用 SOIC-8 封装,具有良好的热性能和空间利用率,适合高密度 PCB 设计。其低静态电流(典型值为 100μA)有助于降低待机功耗,提高能效。该芯片还具备抗干扰能力强、驱动能力强、响应速度快等优点,广泛适用于工业电源、电信设备、服务器电源和电池管理系统。

应用

TPS2830D 常用于需要高速驱动 N 沟道 MOSFET 的场合,例如同步整流器、DC-DC 转换器、负载开关、电机控制电路和电池管理系统(BMS)。其高驱动能力和低延迟特性使其成为高性能电源转换系统的理想选择。此外,它也适用于工业自动化设备、服务器电源、不间断电源(UPS)以及各类高效率电源模块的设计。

替代型号

Si8751AC-B-ISR, IRS2004PBF, TC4420COA

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TPS2830D参数

  • 标准包装50
  • 类别集成电路 (IC)
  • 家庭PMIC - MOSFET,电桥驱动器 - 外部开关
  • 系列-
  • 配置高端和低端,同步
  • 输入类型非反相
  • 延迟时间75ns
  • 电流 - 峰2.4A
  • 配置数1
  • 输出数2
  • 高端电压 - 最大(自引导启动)28V
  • 电源电压4.5 V ~ 15 V
  • 工作温度-40°C ~ 125°C
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳14-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
  • 供应商设备封装14-SOIC
  • 包装管件
  • 其它名称296-2390-5