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TPS1120DRG4 发布时间 时间:2025/5/29 0:51:28 查看 阅读:7

TPS1120DRG4 是一款来自德州仪器(TI)的单通道 ESD(静电放电)保护二极管。该器件专为高速信号线提供瞬态电压抑制和静电保护功能,同时保持低电容特性以避免对信号完整性产生影响。
  TPS1120 系列的设计使其非常适合用于高速数据接口,例如 USB、HDMI 和其他差分或单端信号线路。其封装形式为小尺寸的 DGN-6,适合高密度 PCB 设计。

参数

工作电压:±8kV(空气放电)
  最大反向击穿电压:15V
  动态电阻:≤1Ω
  电容:0.3pF(典型值)
  响应时间:≤1ns
  工作温度范围:-40°C 至 +125°C
  封装:DGN-6

特性

TPS1120DRG4 提供以下关键特性:
  1. 高速信号兼容性,支持高达 3GHz 的数据速率。
  2. 极低的负载电容(0.3pF 典型值),可最大限度减少对信号完整性的干扰。
  3. 快速响应时间(≤1ns),能够迅速抑制瞬态电压威胁。
  4. 高度稳健的 ESD 保护性能,符合 IEC 61000-4-2 标准,支持 ±8kV 空气放电和 ±8kV 接触放电。
  5. 小型封装(DGN-6),适用于空间受限的应用场景。
  6. 宽工作温度范围(-40°C 至 +125°C),能够在各种环境条件下稳定运行。

应用

TPS1120DRG4 主要应用于需要高速数据传输且对信号完整性要求较高的场景,具体包括:
  1. USB 数据线保护,如 USB 2.0 和 USB 3.0 接口。
  2. HDMI 和 DisplayPort 数据线保护。
  3. 工业总线保护,如 RS-485 和 CAN 总线。
  4. 消费类电子设备中的天线接口保护。
  5. 移动设备和其他便携式电子产品中的高速信号线路保护。
  6. 电信设备中高速数据链路的瞬态电压抑制。

替代型号

TPS1121DRG4, TPD1S402EVM-814

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TPS1120DRG4参数

  • 标准包装2,500
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 阵列
  • 系列-
  • FET 型2 个 P 沟道(双)
  • FET 特点逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)15V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C1.17A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C180 毫欧 @ 1.5A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)1.5V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs5.45nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds-
  • 功率 - 最大840mW
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
  • 供应商设备封装8-SOIC
  • 包装带卷 (TR)