时间：2023/7/5 14:19:08
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TPS1120DR集成了两个独立的p沟道增强型MOSFET，这些MOSFET通过德州仪器LinBiCMOSTM工艺进行了优化，用于电池供电系统中的3V或5V配电。最大VGS(th)为-1.5V和IDSSTPS1120的电流仅为0.5uA，是低压便携式电池管理系统的理想高边开关，其中最大限度地延长电池寿命是首要考虑因素。由于便携式设备可能会受到静电放电(ESD)的影响，因此MOSFET具有用于2kVESD保护的内置电路。TPS1120DR的终端设备包括笔记本电脑、个人数字助理(PDA)、移动电话、条形码扫描仪和PCMCIA卡。对于现有设计，此器件具有与小外形集成电路SOIC封装中的其他p沟道MOSFET共用的引脚排列。TPS1120DR的特点是工作结温范围TJ为-40°C至150°C。
| 制造商 | 德州仪器 |
| 制造商产品编号 | TPS1120DR |
| 供应商 | 德州仪器 |
| 描述 | MOSFET 2P-CH 15V 1.17A 8-SOIC |
| 详细描述 | MOSFET - 阵列 2 个 P 沟道(双) 15V 1.17A 840mW 表面贴装型 8-SOIC |
| 类别 | 分立半导体产品晶体管-FET，MOSFET-阵列 |
| 工作温度 | -40°C~150°C(TJ) |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | 8-SOIC(0.154"，3.90mm宽) |
| 供应商器件封装 | 8-SOIC |
| 基本产品编号 | TPS1120 |
TPS1120DR
| 零件状态 | 在售 |
| FET类型 | 2个P沟道(双) |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| 漏源电压(Vdss) | 15V |
| 25°C时电流-连续漏极(Id) | 1.17A |
| 不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) | 180毫欧@1.5A，10V |
| 不同Id时Vgs(th)(最大值) | 5.45nC@10V |
| 5.45nC@10V | 840mW |
| 箱/包 | 集成电路 |
| 引脚数 | 8 |
| 连续漏极电流(ID) | 1.17安 |
| 目前评级 | -1.17安 |
| 漏源击穿电压 | 15伏 |
| 秋季时间 | 秋季时间 |
| 栅源电压(Vgs) | 2伏 |
| 最高工作温度 | 125℃ |
| 最大功耗 | 840兆瓦 |
| 最低工作温度 | -40℃ |
| 元素数 | 2 |
| 打包 | Digi-Reel? |
| 功耗 | 840兆瓦 |
| 最大Rds | 180毫欧 |
| 上升时间 | 10纳秒 |
| 关断延迟时间 | 13纳秒 |
| 开启延迟时间 | 4.5纳秒 |
| 额定电压(直流) | -15伏 |
| 高度 | 1.75毫米 |
| 长度 | 4.9毫米 |
| 厚度 | 1.58毫米 |
| 宽度 | 3.91毫米 |
| 属性 | 描述 |
| RoHS状态 | 符合ROHS3规范 |
| 湿气敏感性等级(MSL) | 1(无限) |
| REACH状态 | 非REACH产品 |
| 无铅 | 无铅 |
| 辐射硬化 | 不 |
低rDS(on)0.18在VGS=-10V
3V兼容
不需要外部VCC
TTL和CMOS兼容输入
VGS(th)=-1.5V最大值
ESD保护高达2kV，符合MIL-STD-883C，方法3015
TPS1120DR符号
TPS1120DR焊垫
TPS1120DR 3D模型
TPS1120DR封装
| 型号 | 制造商 | 品名 | 描述 |
| TPS1120D | 德州仪器 | MOS管 | 双P沟道,1.17A,-15V,0.18ohm,-10V,-1.25V |
| TPS1120DG4 | 德州仪器 | MOS管 | SOIC，P-Channel-15V，1.17A，180mohms |
| TPS1120DRG4 | 德州仪器 | MOS管 | SOIC，P-Channel15V，1.17A |
