TPS1101DG4 时间：2025/12/24 16:35:47 阅读：27

TPS1101DG4 是由 Texas Instruments（德州仪器）生产的一款低侧 N 沟道 MOSFET 驱动器，广泛用于电源管理应用中。该器件采用高速驱动能力，适用于需要快速切换的电源系统。TPS1101DG4 采用 8 引脚 SOIC 封装，具有低输入阈值、宽工作电压范围和强大的驱动能力。该器件特别适合用于 DC-DC 转换器、负载开关和电机控制等应用。

参数

工作电压范围：4.5V 至 18V
　　输出电流能力：1.2A（源电流/灌电流）
　　传播延迟：20ns（典型值）
　　上升时间：8ns（典型值）
　　下降时间：6ns（典型值）
　　输入阈值电压：1.4V（最大值）
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C

特性

TPS1101DG4 的主要特性包括高速驱动能力，确保快速的 MOSFET 开关，降低开关损耗并提高系统效率。
　　该器件具有较低的输入阈值电压，允许使用低压控制信号（如来自 DSP 或微控制器的信号）来驱动高侧或低侧 MOSFET。
　　其宽工作电压范围（4.5V 至 18V）使其适用于多种电源应用，包括同步整流器、DC-DC 转换器和负载开关。
　　TPS1101DG4 还具有较低的传播延迟（典型值为 20ns），确保精确的时序控制，适用于高频开关应用。
　　此外，该器件具有较低的上升时间和下降时间（分别为 8ns 和 6ns），有助于减少开关过程中的功率损耗。
　　封装采用 8 引脚 SOIC，提供良好的热性能和空间效率，适合高密度 PCB 设计。
　　内置的欠压锁定（UVLO）功能可防止在电源电压不足时误操作，提高系统的稳定性和可靠性。

应用

TPS1101DG4 主要应用于需要高效能、高速切换的电源管理系统中。
　　例如，在 DC-DC 转换器中，该器件用于驱动同步整流 MOSFET，提高转换效率并减少热量产生。
　　在负载开关应用中，TPS1101DG4 可用于控制电源路径，实现快速的负载接通和断开。
　　此外，它也适用于电机控制、电池充电器和工业自动化设备中的功率 MOSFET 驱动。
　　由于其高速特性和低延迟，该器件在开关电源（SMPS）、电源管理集成电路（PMIC）和数字电源系统中也具有广泛的应用前景。
　　TPS1101DG4 还可与其他电源管理 IC 配合使用，构建完整的电源解决方案。