时间：2025/7/30 0:18:01
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TPQ3467是一款高性能、低导通电阻的N沟道增强型功率MOSFET，广泛用于电源管理和功率转换应用。该器件采用先进的沟槽式MOSFET技术，具有优异的热稳定性和高效率。TPQ3467封装紧凑，适合高密度PCB布局，适用于多种工业和消费类电子产品。
类型：N沟道增强型MOSFET
漏源电压（VDS）：30V
栅源电压（VGS）：±20V
连续漏极电流（ID）：160A
导通电阻（RDS(on)）：4.5mΩ @ VGS=10V
工作温度范围：-55°C ~ 175°C
封装形式：PowerPAK SO-8
TPQ3467具备极低的导通电阻，可显著降低功率损耗并提高系统效率。其高电流承载能力使其适用于高功率密度应用，如DC-DC转换器和电池管理系统。
该MOSFET采用先进的沟槽技术，优化了导通和开关性能，在高频应用中表现优异。此外，TPQ3467的封装设计提供了良好的散热性能，确保在高负载条件下仍能保持稳定工作。
器件的栅极驱动电压范围宽，支持常见的10V和12V驱动电压，适用于各种控制电路。TPQ3467的可靠性和耐用性使其成为工业级应用的理想选择。
TPQ3467主要用于电源管理系统、同步整流器、负载开关、马达控制、电池保护电路以及各种DC-DC转换器。由于其高效率和紧凑封装，特别适合用于笔记本电脑、服务器电源、工业自动化设备以及新能源系统中的功率转换模块。
SiR142DP, SQJA44EP, FDS4469
