TPN8R903NL 时间：2025/8/2 7:08:21 阅读：35

TPN8R903NL 是一款由东芝（Toshiba）推出的功率MOSFET晶体管，采用N沟道结构设计，主要用于高效能电源管理和功率转换应用。该器件具备低导通电阻（Rds(on)）和高电流处理能力，适用于DC-DC转换器、电池管理系统、开关电源（SMPS）以及其他高效率电力电子设备。TPN8R903NL 采用先进的沟槽式MOSFET技术，优化了开关性能和导通损耗，从而提高了整体系统效率。

参数

类型：N沟道
　　最大漏极电流（Id）：8A
　　最大漏极-源极电压（Vds）：30V
　　最大栅极-源极电压（Vgs）：±20V
　　导通电阻（Rds(on)）：最大30mΩ（在Vgs=10V时）
　　功率耗散（Pd）：45W
　　工作温度范围：-55°C至150°C
　　封装类型：TO-252（DPAK）

特性

TPN8R903NL 具备多项优良特性，使其在功率MOSFET市场中具有竞争力。首先，其低导通电阻（Rds(on)）显著减少了导通状态下的功率损耗，从而提升了整体能效。这对于高电流应用尤为重要，例如电池管理系统和DC-DC转换器。
　　其次，该器件采用了先进的沟槽式MOSFET技术，优化了电场分布，提高了击穿电压的稳定性，同时降低了开关损耗，从而增强了高频开关应用中的性能表现。
　　此外，TPN8R903NL 提供了较高的最大漏极电流（8A），适合处理大功率负载的应用场景。其TO-252（DPAK）封装不仅便于散热，也适合表面贴装工艺，适用于自动化生产流程。
　　该器件还具备良好的热稳定性和耐用性，能够在-55°C至150°C的宽温度范围内稳定工作，适用于工业级和汽车电子应用。
　　综合来看，TPN8R903NL 是一款性能优异、可靠性高的功率MOSFET，广泛适用于多种电力电子系统。

应用

TPN8R903NL 主要应用于需要高效能、低损耗功率开关的场合。其典型应用包括DC-DC转换器、同步整流器、电池管理系统、电机控制、开关电源（SMPS）、电源管理模块以及各类工业和消费类电子设备中的功率转换电路。
　　在DC-DC转换器中，TPN8R903NL 可作为主开关器件，用于提高转换效率并减少能量损耗。在电池管理系统中，它可用于实现高效的充放电控制。此外，该MOSFET也适用于电机驱动电路，提供稳定的电流控制和高能效。
　　由于其封装形式便于散热和焊接，因此也适用于需要高可靠性的汽车电子系统，如车载电源管理模块和电机控制系统。