时间：2025/8/2 6:02:23
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TPN2R503NC是一款由东芝（Toshiba）制造的N沟道功率MOSFET，专为高效率电源管理和功率开关应用设计。这款MOSFET具有低导通电阻（Rds(on)）和高耐压特性，适用于DC-DC转换器、电源管理模块以及工业控制设备等需要高可靠性和高性能的场合。
类型：N沟道
最大漏极电流（ID）：100A
最大漏源电压（VDS）：30V
最大栅源电压（VGS）：±20V
导通电阻（Rds(on)）：2.7mΩ（典型值，VGS=10V）
功率耗散（PD）：150W
工作温度范围：-55°C 至 175°C
TPN2R503NC具有多个关键特性，使其适用于高性能电源管理系统。首先，其低导通电阻（Rds(on)）确保了在高电流条件下仍能保持较低的导通损耗，从而提高整体效率。其次，该器件采用了先进的沟槽式MOSFET技术，实现了更小的芯片尺寸和更高的电流密度，有助于减少PCB空间并提高系统集成度。
此外，TPN2R503NC具备良好的热稳定性，能够在高温环境下可靠工作，适用于要求严苛的工业和汽车应用。该MOSFET还具有快速开关能力，降低了开关损耗，进一步提升了系统效率。其封装设计优化了散热性能，确保在高负载条件下仍能保持稳定的温度表现。
TPN2R503NC广泛应用于多种电源管理和功率控制领域。其主要应用包括DC-DC转换器、同步整流器、电池管理系统、电动工具、工业自动化设备以及汽车电子系统。由于其高电流承载能力和低导通电阻，它特别适合用于需要高效率和高可靠性的电源设计中。此外，该MOSFET还可用于电机驱动和负载开关应用，提供稳定的性能和较长的使用寿命。
TPN2R503NC的替代型号包括IRF1405、SiR144DP、FDMS86101、NTMFS4C10N和AO4406
