时间：2025/4/29 8:47:17
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TPH4R606NH,L1Q(M) 是一款N沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件采用先进的制造工艺，具有低导通电阻、高开关速度和出色的热性能。其封装形式为L1Q(M)，适合用于各种高效能电源管理应用，包括开关电源、电机驱动和负载切换等场景。
该MOSFET的主要特点是其优化的电气参数，如较低的导通电阻（Rds(on)），能够显著降低功耗并提升系统效率。
最大漏源电压：60V
连续漏极电流：6.8A
导通电阻：4.0mΩ
栅极电荷：13nC
总电容：175pF
工作温度范围：-55℃至175℃
TPH4R606NH,L1Q(M) 具有以下关键特性：
1. 极低的导通电阻（Rds(on)），有助于减少传导损耗。
2. 高速开关能力，支持高频应用。
3. 优异的热稳定性，可在较宽的工作温度范围内可靠运行。
4. 小型封装设计，节省电路板空间。
5. 符合RoHS标准，环保无铅材料。
6. 高雪崩能量能力，增强了在异常情况下的鲁棒性。
这款MOSFET适用于多种电子应用领域，包括但不限于：
1. 开关模式电源（SMPS）中的功率转换级。
2. DC-DC转换器的同步整流电路。
3. 电池管理系统中的负载开关。
4. 电动工具及小型家电的电机驱动控制。
5. 汽车电子系统的负载切换和保护电路。
6. 各类便携式设备中的高效电源管理方案。
TPH4R606NL, TPH4R606NP
