时间：2025/8/2 6:51:12
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TPH3R704PL 是由 Texas Instruments（德州仪器）生产的一款功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），专为高效率功率转换应用设计。该器件采用了先进的半导体技术，具备较低的导通电阻（Rds(on)）和快速的开关特性，适用于电源管理、DC-DC 转换器、负载开关、电机控制等多种高功率应用场景。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压（Vds）：100V
栅源电压（Vgs）：±20V
连续漏极电流（Id）：80A
导通电阻（Rds(on)）：3.7mΩ（典型值）
功耗（Pd）：220W
工作温度范围：-55°C 至 175°C
封装类型：PowerPAK? 1212-8
技术：TrenchFET? Gen IV
TPH3R704PL 具备多项优异特性，适用于高功率密度和高效率的电源系统设计。其核心优势之一是超低导通电阻（Rds(on)），典型值为 3.7mΩ，这有助于降低导通损耗，提高整体能效。此外，该器件采用了先进的 TrenchFET? Gen IV 技术，提供更快的开关速度和更低的栅极电荷（Qg），从而减少开关损耗，适用于高频开关应用。
该 MOSFET 的额定漏极电流高达 80A，能够承受较大的负载电流，适用于大功率 DC-DC 转换器、同步整流器和电机驱动等应用。同时，其最大漏源电压为 100V，具有良好的电压耐受能力，适用于多种中高功率系统。
TPH3R704PL 采用 PowerPAK? 1212-8 封装，具有优异的热性能和高功率耗散能力（220W）。该封装设计有助于提高散热效率，确保器件在高负载条件下稳定运行。此外，其工作温度范围为 -55°C 至 175°C，适合在极端环境条件下使用。
在可靠性方面，该器件具备较强的抗静电能力和良好的稳定性，适用于工业级和汽车级应用。综合来看，TPH3R704PL 是一款高性能功率 MOSFET，适用于各类需要高效率、高可靠性的电源系统。
TPH3R704PL 主要应用于高功率密度和高效率的电源管理系统中。例如，在 DC-DC 转换器中，该器件可用于同步整流电路，提高能量转换效率；在负载开关电路中，它能够实现快速、可靠的开关控制，适用于服务器、通信设备和工业自动化系统。
此外，TPH3R704PL 也适用于电机控制和功率放大器等应用，其高电流承载能力和快速开关特性可有效提升系统性能。在电动汽车（EV）和可再生能源系统中，如车载充电器（OBC）或太阳能逆变器中，该器件也可用于功率转换和管理模块。
由于其良好的热性能和高功率处理能力，TPH3R704PL 还可应用于高密度电源模块、服务器电源、笔记本电脑电源适配器以及高性能计算设备的电源管理系统。
SiZ880DT, IPB013N10N3, BSC080N10NS5
