时间：2025/8/2 6:12:38
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TPH3R003PL 是由 Texas Instruments（德州仪器）推出的一款高性能氮化镓（GaN）场效应晶体管（FET），型号为 GaN FET，适用于高效率、高频率的电源转换应用。该器件采用增强型（eGaN）技术，具有极低的导通电阻和快速的开关特性，适用于DC-DC转换器、服务器电源、电信电源、工业电源、无线充电、激光二极管驱动等高功率密度应用场景。
类型：增强型氮化镓场效应晶体管（eGaN FET）
漏源电压（VDS）：100V
连续漏极电流（ID）@25°C：170A
导通电阻（RDS(on)）：3.2mΩ
栅极电荷（QG）：14nC
输出电容（COSS）：850pF
工作温度范围：-55°C ~ 150°C
封装类型：PowerPAK 1212-8
安装类型：表面贴装（SMD）
TPH3R003PL 具备多项高性能特性，使其在电源转换系统中表现出色。首先，其采用的增强型氮化镓技术（eGaN）提供了极低的导通电阻（RDS(on)）和极快的开关速度，这使得该器件在高频操作下仍能保持较高的效率，同时减少了功率损耗。这在高频率电源设计中尤为重要，因为它可以减小磁性元件的尺寸，从而提高系统的功率密度。
其次，TPH3R003PL 的封装采用了先进的 PowerPAK 1212-8 封装技术，该封装具有良好的热管理和电流承载能力，能够在高功率应用中保持稳定的工作状态。此外，该器件的栅极驱动电压范围较宽，通常在 4.5V 至 6.5V 之间，便于与多种栅极驱动器配合使用，提高设计的灵活性。
TPH3R003PL 适用于多种高性能电源转换系统，包括但不限于：DC-DC 转换器（如半桥、同步整流、谐振转换器）、服务器电源、电信电源系统、工业电源、高密度适配器、激光二极管驱动电路、无线充电系统、电池管理系统（BMS）、高功率密度电机驱动器等。其优异的开关性能和低导通电阻使其在高频开关电源中表现出色，能够有效提升系统效率和功率密度，满足现代电子设备对小型化和高能效的需求。
GaN Systems GS61004B、Transphorm TPH3205WSBQA、EPC2045、TI TPH3205WSBQA
