时间：2025/4/28 19:39:52
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TPGBLC08C是一款高性能的N沟道增强型MOSFET晶体管，主要用于开关和功率管理应用。该器件采用先进的制造工艺，具有低导通电阻、高电流处理能力和快速开关速度等特点，广泛适用于各种工业和消费类电子产品中。
最大漏源电压：30V
最大栅源电压：±12V
持续漏极电流：8A
导通电阻：4.5mΩ
总功耗：15W
结温范围：-55℃至175℃
TPGBLC08C具有以下主要特性：
1. 极低的导通电阻（Rds(on)），有助于降低功率损耗并提高效率。
2. 快速开关性能，能够适应高频工作场景。
3. 高雪崩能量能力，增强了器件在异常条件下的鲁棒性。
4. 小型封装设计，适合高密度电路板布局。
5. 符合RoHS标准，环保且支持无铅焊接工艺。
TPGBLC08C适用于多种应用领域，包括但不限于：
1. 开关电源（SMPS）中的同步整流器。
2. DC-DC转换器的功率开关。
3. 电机驱动和负载切换控制。
4. 电池保护电路和电子保险丝。
5. 各种便携式设备的电源管理解决方案。
IRF7404, AO6604
